SiCパワーデバイスの世界市場

株式会社グローバルインフォメーション(所在地:神奈川県川崎市、代表者:樋口 荘祐、証券コード:東証スタンダード 4171)は、市場調査レポート「SiCパワーデバイスの世界市場」(Global Industry Analysts, Inc.)の販売を6月13日より開始しました。
SiCパワーデバイスの世界市場は2030年までに49億米ドルに達する
2024年に18億米ドルと推定されるSiCパワーデバイスの世界市場は、分析期間2024-2030年にCAGR 18.4%で成長し、2030年には49億米ドルに達すると予測されます。本レポートで分析したセグメントの1つであるSiCダイオードは、CAGR16.3%を記録し、分析期間終了までに18億米ドルに達すると予測されています。SiCパワーモジュールセグメントの成長率は、分析期間でCAGR 20.6%と推定されます。
米国市場は4億8,910万米ドル、中国はCAGR23.8%で成長予測
米国のSiCパワーデバイス市場は、2024年に4億8,910万米ドルと推定されます。世界第2位の経済大国である中国は、2030年までに11億米ドルの市場規模に達すると予測され、分析期間2024-2030年のCAGRは23.8%です。その他の注目すべき地域別市場としては、日本とカナダがあり、分析期間中のCAGRはそれぞれ13.9%と16.4%と予測されています。欧州では、ドイツがCAGR約14.6%で成長すると予測されています。
SiCパワーデバイス市場の成長は、電化動向、性能要求、サプライチェーンの成熟度を反映するいくつかの要因によって牽引されています。
SiCパワーデバイス市場を前進させる最も強力な要因は、世界の電動化へのシフト(特に輸送と再生可能エネルギー)です。電気自動車の急増により、高効率インバータと急速充電ソリューションの需要が大幅に増加しており、SiCは従来のシリコン部品よりも優れています。特に中国、欧州、米国では、クリーンモビリティとカーボンニュートラル目標を推進する政府の指令とインセンティブがこの採用を強化しています。太陽光発電所、風力タービン、グリッドストレージにおける高電圧、小型、高信頼性の電力システムに対するニーズの高まりもSiCの展開を加速しています。供給面では、特にウォルフスピード、STマイクロエレクトロニクス、ローム、インフィニオン、オン・セミコンダクターなどの企業による鋳造能力の拡大が、材料の入手可能性とコスト効率を向上させています。さらに、SiCベースのR&Dと垂直統合戦略への投資の増加により、ウエハーの品質、デバイスの一貫性、長期的な供給の安全性が向上しています。データセンター、航空宇宙システム、産業用モーターからの熱と電力密度の要求は、特に従来のシリコンが性能の天井を打つ中、SiCの関連性をさらに高めています。一方、シミュレーション・ソフトウェア、駆動回路、トレーニング・リソースを含む設計エコシステムの成熟は、OEMや設計者の採用障壁を引き下げています。電動化の目標、性能のしきい値、法規制の追い風、製造準備など、これらの動向が相まって、世界のSiCパワーデバイス市場は活気に満ちた高成長の軌道を形成しています。
目次
第1章 調査手法
第2章 エグゼクティブサマリー
第3章 市場分析
第4章 競合
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