パワーGaNデバイスの市場規模は2028年に3億9522万米ドルに達する見込み-最新予測

パワーGaNデバイスの世界市場は、2021年に約1億1030万米ドルと評価され、予測期間2022-2028年には20.00%以上の健全な成長率で成長すると予想されています。

パワーGaNデバイス（窒化ガリウムトランジスタ）は、シリコントランジスタに比べ、抵抗値や耐圧が小さくできるため、シリコントランジスタの代替品として発展してきました。このパワーデバイスは、極めて低い抵抗値と高いスイッチング周波数を実現することができる。これらの特性は、高効率電源、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、太陽光発電インバータ、RFスイッチングなどに活かされている。高速スイッチングデバイスの需要の高まりと、電気自動車やモビリティ分野での需要の増加が、予測期間中にパワーGaNデバイスの採用につながっています。例えば、IBEFによると、インドの電気自動車は2025年までに5000億ルピー（70億9000万米ドル）のビジネスチャンスになる可能性があるとのことです。中期的には、二輪車と三輪車がインドにおける電動化の動きをリードすることになるでしょう。また、HVDCやスマートグリッドに関する政府の取り組みや、商用RFアプリケーションにおけるGaNデバイスの要件の増加により、パワーGaNデバイスの採用や需要が予測期間中に市場成長を高めると考えられます。しかし、GaN材料の不足と高コストが、2022-2028年の予測期間における市場成長を阻害している。

パワーデバイスの世界市場の調査対象地域は、アジア太平洋地域、北米、欧州、中南米、その他の地域です。北米は、電気ネットワークを改善するためのスマートグリッド技術への多額の投資により、市場シェアの面で世界の主要地域となっています。一方、アジア太平洋地域は、2022年から2028年の予測期間において、最も高い成長率を示すと予想されています。可処分所得の増加や環境への配慮などの要因が、アジア太平洋地域のパワーGaNデバイス市場に有利な成長見通しを生み出すと考えられる。

本レポートに含まれる主なマーケットプレイヤーは以下の通りです。
VisIC Technologies
テキサス・インスツルメンツ
エフィシェント・パワー・コンバージョン・コーポレーション
富士通株式会社
GaN Power Inc.
GaNシステムズ
インフィニオン・テクノロジーズ
ナビタスセミコンダクター
オン・セミコンダクターズ
パナソニック株式会社

本調査の目的は、近年における様々なセグメント＆国の市場規模を定義し、今後8年間の値を予測することである。本レポートは、調査対象となる地域や国ごとに、業界の質的・量的な側面を取り入れるよう設計されています。さらに、市場の将来的な成長を規定する駆動因子や課題などの重要な側面に関する詳細な情報も提供しています。さらに、主要企業の競争環境と製品提供の詳細な分析とともに、利害関係者が投資するためのミクロ市場での利用可能な機会も盛り込むものとします。

タイプ別：（インテグレーテッドパワーデバイス、ディスクリートパワーデバイス）

電圧別：（200V以下、200V～600V、600V以上）

北米（アメリカ、カナダ、メキシコ）

欧州（英国、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、ポーランド、ロシア、オランダ、ベルギー、トルコ、北欧諸国、その他の欧州諸国）

アジア太平洋地域（中国、インド、日本、韓国、オーストラリア、ニュージーランド、ASEAN諸国、その他アジア太平洋地域）

中東・アフリカ（UAE、サウジアラビア、南アフリカ、イスラエル、クウェート、カタール、オマーン、MEA諸国、その他の地域）

南米（アルゼンチン、ブラジル、南米のその他地域）

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