テレダイン・レクロイ、1.5％のシステム精度を実現！ GaNおよびSiC半導体解析のための最高精度の測定システムを発表

～新製品1 GHzプローブと12ビット高分解能オシロスコープおよびテスト・ソフトウェアのシステムで、ワイドバンドギャップ半導体のテストに究極の精度を提供～

2022-04-18 11:00

テレダイン・レクロイ(所在地：東京都府中市、代表取締役：原直)は、本日、新しい1GHz高電圧光アイソレーション・プローブDL-ISOおよびパワーデバイス・テスト・ソフトウェアの発売を発表しました。
この新製品プローブとソフトウェア、高分解能12ビット・オシロスコープを組み合わせることにより、窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)パワー半導体デバイスの電気特性を1.5％という極めて高い精度で評価することができます。

高分解能12ビット・オシロスコープと高電圧光アイソレーション・プローブ(DL-ISO)

[背景]
ユーザーが電源やシステムの小型・軽量化を求め、政府が高効率化を義務付ける中、30年以上にわたり、シリコン(Si)MOSFETや絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)のパワー半導体デバイスを用いた電源や電力変換システムが製造されてきました。
GaNやSiCなどのワイドバンドギャップ(WBG)材料は、半導体デバイスのスイッチング速度がSiの10倍以上となり、小型・軽量化と高効率化の両者を実現する最適な材料です。しかし、いまだWBG半導体に不慣れなエンジニアも多く、より広い測定帯域と、半導体デバイスの正確で詳細な解析が求められています。

[新製品の特徴]
このような背景の中、テレダイン・レクロイが提供する新製品 DL-ISO 高電圧光アイソレーション・プローブは、設計エンジニアに最も信頼性の高いGaNおよびSiCパワー半導体デバイスの測定を提供することができます。
また、今回リリースする新しいプローブは、高い信号忠実度、最小のオーバーシュート、高精度を備え、テレダイン・レクロイの12ビット高分解能オシロスコープと組み合わせたシステム上で、1.5％の高い精度を達成します。

DL-ISO 高電圧光アイソレーション・プローブの主な特長

◆帯域幅 1GHz
◆GaN、SiCデバイスに最適
◆システム精度 1.5％
◆立ち上がり時間 435ps
◆高CMRR - 160dB
◆柔軟な接続オプション
◆AutoZero時着脱不要

1GHzの帯域幅は、GaNデバイスの1nsの立ち上がり時間を測定するための要件を満たしています。
また、高分解能オシロスコープは12ビット分解能で最大20GS/sのサンプリング速度を実現し、GaNやSiCデバイスの高速信号を最も忠実に取り込み、表示することができます。高い信号忠実度、最小オーバーシュート、高精度、広帯域、高サンプリング速度の組み合わせは、GaNとSiC技術を新しい設計に導入するために非常に重要です。
テレダイン・レクロイの新しいパワーデバイス・ソフトウェアパッケージは、さらに、自動化されたJEDEC(R)スイッチング損失およびその他の測定と、関連する測定領域の色分けされたオーバーレイ表示によって、GaNおよびSiCデバイスの解析を容易にします。

DL-ISOラインナップ・納期・価格

◆DL-ISOプローブの帯域幅ラインナップ：350MHz、500MHz、1GHz
◆プローブとパワーデバイス・ソフトウェアの納期：受注後20週間
◆価格：当社サイトよりお問合せください。
◆互換性のあるテレダイン・レクロイの高分解能オシロスコープ：
350MHzから8GHzまでの帯域幅で、常時12ビットの分解能と最大20GS/sのサンプリング速度を備えています。

Teledyne LeCroy Inc.について

ニューヨーク州チェストナットリッジに本社を置く、Teledyne LeCroy Inc. (テレダイン・レクロイ)は、性能検証、コンプライアンス試験、複雑な電子システムのデバッグを迅速かつ徹底的に行うための先進的なオシロスコープ、プロトコルアナライザ、その他のテスト機器を製造・販売するリーディングカンパニーです。1964年の創業以来、当社は「Time-to-Insight」を向上させる革新的な製品に強力なツールを組み込むことに注力してきました。解析結果を得るまでの時間を短縮することで、ユーザーは複雑な電子システムの欠陥を迅速に発見して修正することができ、様々なアプリケーションや製品の市場投入までの時間を劇的に短縮することができます。
詳細は、( https://teledynelecroy.com )をご覧ください。

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