磁気抵抗効果付きRAMの市場規模は2030年に2億3011万米ドルに達する見込み-最新予測

磁気抵抗効果付きRAMの世界市場は、2022年から2030年の調査期間中に複合年間成長率21.5%を記録し、2030年には2億3010万米ドルに成長すると予測されています。

磁気抵抗ランダムアクセスメモリと呼ばれる不揮発性RAMは、磁気の電荷を利用してデータを蓄積する。磁気抵抗効果型RAMは、高密度、ランダムアクセス、不揮発性メモリが特徴である。また、電子機器の機能を向上させ、膨大なデータを保存することができる。

市場に影響を与える要因

従来のNANDと比較すると、MRAMは速度面で優れている。電源がない状態でもデータを保持することができる。DRAMやSRAMと比較すると、はるかに開発余地が大きく、高速にデータを読み書きできるメモリです。さらに、フラッシュメモリなどの電気的に消去可能なプログラマブル読み出し専用メモリに取って代わる可能性があることが、今後の市場成長の原動力になると考えられます。

ビジネス、家電、ロボット、航空宇宙・軍事、産業など、さまざまな用途で使用されているため、組み込み型およびスタンドアロン型メモリ用の新製品が発売されれば、有利な成長が期待できます。

また、OpenAIのGPT-3、MicrosoftのMT-NLG、GoogleのBERTなどの大規模言語モデルは、大きな人気を集めています。さらに、高度な半導体技術で知られる著名な企業であるSamsung Electronicsは、2022年1月にMRAMをベースにした初のインメモリコンピューティングを実演しました。このような進歩は、分析期間中の市場成長を促すと予測されます。

地域別分析

アジア太平洋地域の磁気抵抗素子用RAMは、最も速い成長率で成長すると予測されています。この地域には、株式会社東芝(東京)、サムスン電子株式会社、株式会社日立製作所など、さまざまな業界大手が存在するため、市場拡大の可能性があります。Ltd.(韓国)など、さまざまな業界大手が存在するため、この地域は市場拡大の可能性を示すでしょう。(韓国)などの大手企業が存在し、市場の成長に貢献すると予測されます。これらの企業は、AI、機械学習、IoT、自律走行車などのトレンドと足並みを揃えるために、継続的な戦略的取り組みを行っています。さらに、メモリチップを製造するための政府支援の拡大が、分析期間中の市場成長に寄与すると予測されます。

競合他社の分析

アバランチ・テクノロジー社
エバースピン・テクノロジーズ社
ハネウェルインターナショナル株式会社
インテル株式会社
株式会社NVE
クアルコム株式会社
Samsung Electronics Co. Ltd.
スピントランスファー・テクノロジー
株式会社東芝
クロッカスナノエレクトロニクスLLC
その他の有力企業

市場セグメント

製品別:(STT、トグル)

アプリケーション別:(航空宇宙・防衛、車載、ロボット、家電、エンタープライズストレージ)

地域別(北米、欧州、南米、アジア太平洋、中東、アフリカ)

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