SiC(シリコンカーバイド)の世界市場規模は、2029年に172億ドルへと急速に拡大予測【市場調査】
リサーチステーション合同会社は、海外市場調査レポート「SiC(シリコンカーバイド)市場:2029年に至るデバイス別、業界別予測」の販売を開始いたします。
SiC(シリコンカーバイド)の世界市場規模は2024年で42億ドル、2029年に172億ドル、市場の平均年成長率は32.6%にて増加すると見込まれています。
【英文市場調査レポート】
SiC(シリコンカーバイド)市場:2029年に至るデバイス別、業界別予測
Silicon Carbide Market by Device (SiC Discrete Device, SiC Module), Wafer Size (Up to 150mm, >150mm), End-use Application (Automotive, Energy & Power, Industrial, Transportation), Material, Crystal Structure and Region - Global Forecast to 2029
https://researchstation.jp/report/MAM/35/SiC_2029_MAM3576.php
(レポートの詳細目次は上記URL参照)
レポートは様々な切り口で SiC市場を区分し、
そのセグメント市場ごとの市場予測データを中心に構成されています。
また各種の市場分析や動向、主要企業プロフィールなども加えて、
同市場の現状や今後の成長性について、概略以下の構成でレポートしています。
【レポート構成概要】
◆SiC(シリコンカーバイド)市場の世界市場予測2020-2029年
・市場規模(US$)
・数量(Units)
◆機器別、市場-2029年
SiCディスクリートデバイス
・SiCダイオード
・SiC MOSFET
SiCモジュール
※(市場規模US$、数量Units)
◆ウェハーサイズ別、市場-2029年
・150mm以下
・150mm超
※(市場規模US$)
◆業界別、市場-2029年
・自動車
・エネルギー、電力
・工業用
・輸送
・通信
・その他
※(市場規模US$)
◆主要国地域別市場-2029年
北米
・米国、カナダ、メキシコ
欧州
・英国、ドイツ、フランス
・その他欧州
アジア太平洋
・日本、中国、韓国
・その他アジア太平洋
その他
・中東アフリカ
-GCC諸国
-その他中東アフリカ
・南米
※地域別に、業界別、機器別の細分化データ掲載
※国別に、機器別の細分化データ掲載、詳細は目次参照
◆市場分析
・市場ダイナミクス
・サプライチェーン分析
・エコシステム分析
・技術分析
・平均価格分析
・主要なステークホルダーと購買基準
・ファイブフォース分析
・ケーススタディ分析
・貿易分析
・特許分析
・規制状況
・競合状況
・市場シェア分析
◆SiC(シリコンカーバイド)市場の主要企業プロフィール動向
・STMICROELECTRONICS
・INFINEON TECHNOLOGIES AG
・SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC
・WOLFSPEED, INC
・ローム株式会社
・富士電機株式会社
・東芝デバイス&ストレージ株式会社
・MICROCHIP TECHNOLOGY INC
・三菱電機株式会社
・COHERENT CORP
その他企業
・株式会社日立パワーデバイス
・SEMIKRON DANFOSS
・QORVO, INC
・GENESiC SEMICONDUCTOR INC
・TT ELECTRONICS
・VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC
・WEEN SEMICONDUCTORS
・SOLITRON DEVICES, INC
・SANAN IC
・BYD SEMICONDUCTOR
・LITTELFUSE, INC
・TYCO TIANRUN , INC
・NEXPERIA
・INVENTCHIP TECHNOLOGY CO, LTD
・DIODES INCORPORATED
(全233頁)
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