新型低角度イオンミリング走査電子顕微鏡 「HAXIS(ハクシス)」を販売開始

日本電子株式会社(代表取締役社長兼CEO：大井 泉)は低角度イオンミリング走査電子顕微鏡「HAXIS」を開発し、2026年10月5日より販売を開始します。

低角度イオンミリング走査電子顕微鏡 HAXIS

デバイス構造の微細化・複雑化が進む先端半導体では、微細な回路へのナノマニピュレーターによる接触・測定が難しくなっています。さらに、プロービングによる接触が解析対象へ影響を及ぼす可能性もあり、新たな不良解析手法が求められています。
日本電子は、電位コントラスト(PVC：Passive Voltage Contrast)検出技術を長年研究し、検出器および試料前処理技術の高度化によって、PVCを安定かつ高再現性で観察する技術を確立しました。

HAXISは、この技術を結集した日本電子の新しい半導体不良解析プラットフォームです。

先端半導体においても、鮮明で再現性の高いPVC観察を実現。加工ダメージやコンタミネーションの影響を抑えながら、電気的な異常箇所を視覚的に捉えることで、不良箇所の特定と原因究明を効率的に行うことができます。不活性ガスであるArを採用することで、安定した加工品質と低運用コストを実現します。
PVC観察では、剥離後の試料表面状態が観察品質を大きく左右します。
HAXISは、Arイオンビームを用いた低角度イオンミリング(LIM：Low-Angle Ion Milling)法による独自の剥離加工技術により、試料表面へのダメージを最小限に抑えながら、平坦な加工面を形成します。これにより、先端プロセスデバイスにおいても構造や電位情報を保持したまま、鮮明で再現性の高いPVC観察を可能にします。
半導体不良解析では、不良箇所の特定から物理解析、原因究明まで多段階の解析が必要です。デバイスの複雑化が進む中、不良解析から結果を得るまでの時間短縮がますます重要になっています。
HAXISは故障箇所の絞り込み工程に新たな解析手段を提供します。LIM法による剥離加工とSEMを用いたPVC観察を組み合わせることで、不良箇所を迅速かつ高精度に特定し、QTAT(Quick Turnaround Time)の実現に貢献します。

1. 鮮明なPVC観察
2. Arガスで低運用コスト
3. 低ダメージ剥離加工：LIM法
4. 剥離と観察の繰り返し測定
5. 低コンタミネーション

15台/年間

HAXIS LIM-SEM 複合ビーム加工観察装置
https://www.jeol.co.jp/products/scientific/sem/haxis.html

社名　　： 日本電子株式会社(JEOL Ltd.)
所在地　： 〒196-8558　東京都昭島市武蔵野3-1-2
代表者　： 代表取締役社長兼CEO　大井 泉
設立　　： 1949年5月30日
資本金　： 213億9,418万円(2025年3月末時点)
事業内容： 理科学計測機器(電子光学機器・分析機器、計測検査機器)、
　　　　　 半導体関連機器、産業機器の製造・販売・開発研究、
　　　　　 およびそれに附帯する製品・部品の加工委託、保守・サービス、
　　　　　 周辺機器の仕入・販売
URL　　 ： https://www.jeol.co.jp/

日本電子株式会社　SI営業本部
お問い合わせフォーム： https://www.jeol.co.jp/contacts/products.html