EUVフォトレジストの世界市場調査：製品別需要分析と成長予測2026-2032

細化限界を突破する中核素材──EUVフォトレジスト
EUVフォトレジストは、極端紫外線（Extreme Ultraviolet, EUV）リソグラフィー技術に特化した感光性材料であり、半導体製造プロセスの微細化限界を押し広げる中核的な構成要素である。EUV露光は波長13.5ナノメートルという短波長光を使用するため、従来のArF液浸露光よりも高解像度を実現可能であり、これに適合するフォトレジストには高い感度、低線幅粗さ、優れたエッチング耐性など、複数の性能要求が課される。

EUVフォトレジストは、感光剤、樹脂、添加剤などから構成されるが、露光プロセスにおいて発生するラジカル反応や副生成物への耐性を確保する必要があり、分子設計や材料合成技術の高度な統合が求められる。

図. EUVフォトレジスト世界総市場規模

EUVフォトレジストは、先端ロジック半導体や高性能DRAMの製造において不可欠な素材であり、その需要は半導体業界全体の構造変化と密接に連動している。とりわけ、回路設計の微細化がトランジスタ性能や電力効率に直結する現在、EUVプロセスの採用は製品競争力の根幹を成し、その前提として高性能なフォトレジストの供給確保が欠かせない。

路億市場戦略（LP Information）の最新市場調査によれば、2025年から2031年にかけてEUVフォトレジスト市場は年平均23.4％の成長が見込まれており、2031年時点での市場規模は7.89億米ドルに達するとの予測が示されている。これは、製造拠点の地理的分散、サプライチェーンの見直し、AI・5G・自動運転など先端応用の普及を背景に、製造装置と材料の両輪での投資が活発化していることを裏付けるものである。

また、この成長は単に数量の拡大にとどまらず、品質保証体制や原材料の調達安定性、技術ライセンスを含む知財管理の高度化といった、サプライサイド全体の対応力を問う課題でもある。とりわけ素材技術に強みを持つ日本企業にとっては、グローバルな製造エコシステムの中で信頼性の高いパートナーとして選ばれ続けることが競争力維持の前提となっている。

EUVフォトレジストは、先端半導体製造における不可欠な構成要素として、今後の産業構造の中核に位置づけられる素材である。その成長は、単なる市場拡大ではなく、技術主導の価値連鎖の中で素材産業の役割そのものを変容させるものであり、企業戦略や国家戦略における位置づけも急速に高まっている。

今後、AI、IoT、量子計算、次世代通信といった領域において、演算性能の向上と省電力化が同時に求められる中、EUVリソグラフィーはその解決手段として不可欠な存在となる。その前提として、高性能で信頼性の高いフォトレジストの供給体制を確立することは、サプライチェーンの安定のみならず、製造技術の選択肢そのものを左右する経営課題といえる。

詳細な資料については『世界EUVフォトレジスト市場の成長予測2026～2032-LPI 市場調査会社』をご参照ください。本報告書では、当該業界の需給状況、発展現状、業界の変化動向などを分析し、特に業界の発展現状、業界が直面する課題への対応策、業界発展に関する提言、業界競争力、ならびに業界投資分析とトレンド予測などを重点的に分析しています。さらに、業界全体の動向を総合的に分析し、米国の最新関税がグローバルサプライチェーンに与える影響、サプライチェーンにおける供給関係分析を含め、製品面での参考提案と具体的な解決策を提供しています。