シリコンカーバイド半導体デバイスの世界市場（2026年～2032年）、市場規模（SiC MOSFET モジュール、SiC MOSFET ディスクリート、SiC ダイオード/SBD（SiC JFET および FET））・分析レポートを発表

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「シリコンカーバイド半導体デバイスの世界市場（2026年～2032年）、英文タイトル：Global Silicon Carbide Semiconductor Device Market 2026-2032」調査資料を発表しました。本資料には、シリコンカーバイド半導体デバイスの世界市場規模、市場動向、セグメント別予測（SiC MOSFET モジュール、SiC MOSFET ディスクリート、SiC ダイオード/SBD、その他（SiC JFET および FET））、関連企業の情報などが盛り込まれています。

■ 主な掲載内容

世界の炭化ケイ素（SiC）半導体デバイス市場規模は、2025年の46億6,100万米ドルから2032年には187億7,000万米ドルへと拡大すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）22.4％で成長すると見込まれています。
本レポートでは、SiC MOSFETモジュール、SiC MOSFETディスクリート、SiCダイオードを含むSiCパワーデバイスを調査している。
炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、オン抵抗が低くスイッチング損失が小さいという特徴を持ち、デバイスの損失を低減してシステム効率を向上させることができ、高周波回路に適している。 これは、新エネルギー車用モーターコントローラー、車載電源、太陽光インバーター、充電スタンド、UPS、PFC電源などの分野で広く使用されています。
炭化ケイ素（SiC）ショットキーダイオードは、半導体と金属の接合によって形成される半導体ダイオードです。 SiCショットキーバリアダイオードは、シリコン製のものに比べて逆方向リーク電流がはるかに低く、順方向電圧も高くなっています。これらは損失を大幅に低減するため、システムの効率向上や製品サイズの小型化に活用できます。
炭化ケイ素（SiC）デバイスは、自動車、EV充電、産業用モーター/ドライブ、太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電、UPS、データセンター・サーバー、鉄道輸送などで広く使用されています。
自動車分野は、中国、UAS、EU、日本からの需要に牽引され、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの最大の市場となっている。
自動車分野では、SiCパワーデバイスは主に自動車用メインインバータ、車載充電器（OBC）、DC/DCコンバータに使用されている。また、SiCパワーデバイス市場は、STマイクロエレクトロニクス、インフィニオン、ウルフスピード、ローム、オンセミ、BYDセミコンダクターが主導している。
中国は世界最大級の自動車市場の一つであり、その成長ポテンシャルは依然として高い。特に、電気自動車の急速な普及により、中国は電動モビリティの最大市場の一つとなっている。
世界の新エネルギー車（NEV）市場は急速な成長を続けています。2023年、世界の新エネルギー車販売台数は1,465万台に達し、前年比35.4%増となりました。そのうち、中国の新エネルギー車販売台数は949万5,000台に達し、世界販売台数の64.8%を占めました。新エネルギー車の生産・販売台数は8年連続で世界1位を維持しています。 2023年、米国と欧州の新エネルギー車販売台数はそれぞれ294万台、146万台となり、前年比成長率はそれぞれ18.3％、48.0％を記録した。
「炭化ケイ素半導体デバイス産業予測」では、過去の販売実績を検証し、2025年の世界の炭化ケイ素半導体デバイス総販売額を分析するとともに、2026年から2032年までの地域別および市場セクター別の販売予測について包括的な分析を提供しています。 本レポートでは、地域、市場セクター、およびサブセクター別に分類した炭化ケイ素半導体デバイスの売上高に基づき、世界の炭化ケイ素半導体デバイス産業について、百万米ドル単位で詳細な分析を提供しています。
本インサイトレポートは、世界の炭化ケイ素半導体デバイス市場の包括的な分析を提供し、製品セグメンテーション、企業動向、収益、市場シェア、最新の開発動向、およびM&A活動に関連する主要なトレンドを明らかにします。 また、本レポートでは、世界的な主要企業の戦略を分析し、特に炭化ケイ素半導体デバイスのポートフォリオと技術力、市場参入戦略、市場での位置づけ、および地理的展開に焦点を当てることで、加速する世界の炭化ケイ素半導体デバイス市場における各企業の独自の立場をより深く理解できるようにしています。
本インサイトレポートは、炭化ケイ素半導体デバイスの世界的な見通しを形作る主要な市場動向、推進要因、および影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に予測を細分化することで、新たな機会の領域を浮き彫りにします。数百件に及ぶボトムアップ型の定性的・定量的市場データに基づく透明性の高い方法論を用いることで、本調査の予測は、世界の炭化ケイ素半導体デバイスの現状と将来の軌跡について、極めて精緻な見解を提供します。
本レポートでは、製品タイプ、用途、主要メーカー、および主要地域・国別に、炭化ケイ素（SiC）半導体デバイス市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示しています。

タイプ別セグメンテーション：
SiC MOSFETモジュール
SiC MOSFETディスクリート
SiCダイオード/SBD
その他（SiC JFETおよびFET）

用途別セグメンテーション：
自動車・EV/HEV
EV充電
産業用モーター/ドライブ
太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電
UPS、データセンター・サーバー
鉄道輸送
その他

本レポートでは、地域別にも市場を分析しています：
南北アメリカ
米国市場規模（2021-2026年）
カナダ市場規模（2021-2026年）
メキシコ市場規模（2021-2026年）
ブラジル市場規模（2021-2026年）
アジア太平洋地域（APAC）
中国市場規模（2021-2026年）
日本市場規模（2021-2026年）
韓国市場規模（2021-2026年）
東南アジア市場規模（2021-2026年）
インド市場規模（2021-2026年）
オーストラリア市場規模（2021-2026年）
ヨーロッパ
ドイツ市場規模（2021-2026年）
フランス市場規模（2021-2026年）
英国の市場規模（2021-2026年）
イタリアの市場規模（2021-2026年）
ロシアの市場規模（2021-2026年）
中東・アフリカ
エジプトの市場規模（2021-2026年）
南アフリカの市場規模（2021-2026年）
イスラエル市場規模（2021-2026年）
トルコ市場規模（2021-2026年）
GCC諸国市場規模（2021-2026年）

以下に紹介する企業は、主要な専門家からの情報および各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した結果に基づいて選定されています。
STマイクロエレクトロニクス
インフィニオン
Wolfspeed
Rohm
onsemi
BYD Semiconductor
Microchip (Microsemi)
三菱電機 (Vincotech)
Semikron Danfoss
富士電機
Navitas (GeneSiC)
東芝
Qorvo (UnitedSiC)
三安光電
Littelfuse (IXYS)
CETC 55
WeEn Semiconductors
BASiC Semiconductor
SemiQ
Diodes Incorporated
SanRex
Alpha & Omega Semiconductor
Bosch
KEC Corporation
PANJIT Group
Nexperia
Vishay Intertechnology
Zhuzhou CRRC Times Electric
China Resources Microelectronics Limited
StarPower
揚州揚傑電子科技
広東AccoPower半導体
常州ギャラクシー・センチュリー・マイクロエレクトロニクス
杭州シルアン・マイクロエレクトロニクス
Cissoid
SKパワーテック
インベントチップ・テクノロジー
河北シノパック電子科技
オリエンタル・セミコンダクター
吉林中微電子
PNジャンクション・セミコンダクター（杭州）
ユナイテッド・ノヴァ・テクノロジー

本レポートで取り上げる主な課題
世界の炭化ケイ素半導体デバイス市場の10年間の展望は？
世界全体および地域別に、炭化ケイ素半導体デバイス市場の成長を牽引している要因は何か？
市場および地域別に、最も急速な成長が見込まれる技術はどれか？
炭化ケイ素半導体デバイスの市場機会は、エンド市場の規模によってどのように異なるか？
炭化ケイ素半導体デバイスは、タイプ別、用途別にどのように分類されるか？

■ 各チャプターの構成

第1章には、シリコンカーバイド半導体デバイス市場の導入、調査対象期間、調査目的、市場調査手法、調査プロセスとデータソース、経済指標、考慮される通貨、および市場推定に関する留意事項などの情報が記載されています。

第2章には、エグゼクティブサマリーとして、2021年から2032年までのシリコンカーバイド半導体デバイスの世界年間売上高、地理的地域別および国/地域別の2021年、2025年、2032年における現状と将来分析を含む世界市場概要が収録されています。また、SiC MOSFETモジュール、SiC MOSFETディスクリート、SiCダイオード/SBD、その他（SiC JFETおよびFET）といったタイプ別のシリコンカーバイド半導体デバイスセグメントについて、2021年から2026年までの世界売上市場シェア、収益および市場シェア、販売価格の詳細な分析が示されています。さらに、自動車およびEV/HEV、EV充電、産業用モーター/ドライブ、太陽光発電・エネルギー貯蔵・風力発電、UPS・データセンター・サーバー、鉄道輸送、その他といったアプリケーション別のセグメントについても、同様に2021年から2026年までの世界売上市場シェア、収益および市場シェア、販売価格のデータが網羅されています。

第3章には、企業別の世界シリコンカーバイド半導体デバイスデータが詳細に分析されています。具体的には、2021年から2026年までの企業別の世界年間売上高と市場シェア、年間収益と収益市場シェア、企業別の販売価格が示されています。また、主要メーカーの生産地域分布、販売地域、提供する製品タイプ、市場集中度分析（競争環境と2024年から2026年までのCR3, CR5, CR10集中度比率）、新製品および潜在的な新規参入企業、市場におけるM&A活動と戦略に関する情報が含まれています。

第4章には、2021年から2026年までの地理的地域別および国/地域別の世界のシリコンカーバイド半導体デバイス市場規模に関する歴史的レビューが提供されています。これには、各地域および国/地域における年間売上高と年間収益データが含まれます。さらに、アメリカ地域、アジア太平洋地域、ヨーロッパ地域、中東・アフリカ地域におけるシリコンカーバイド半導体デバイスの売上成長が個別に評価されています。

第5章には、アメリカ地域におけるシリコンカーバイド半導体デバイス市場の詳細な分析が示されています。2021年から2026年までのアメリカ地域の国別（米国、カナダ、メキシコ、ブラジルなど）売上高と収益、タイプ別売上、およびアプリケーション別売上が網羅されています。

第6章には、アジア太平洋（APAC）地域におけるシリコンカーバイド半導体デバイス市場の詳細な分析が示されています。2021年から2026年までのAPAC地域の地域別（中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、中国台湾など）売上高と収益、タイプ別売上、およびアプリケーション別売上が網羅されています。

第7章には、ヨーロッパ地域におけるシリコンカーバイド半導体デバイス市場の詳細な分析が示されています。2021年から2026年までのヨーロッパ地域の国別（ドイツ、フランス、英国、イタリア、ロシアなど）売上高と収益、タイプ別売上、およびアプリケーション別売上が網羅されています。

第8章には、中東・アフリカ地域におけるシリコンカーバイド半導体デバイス市場の詳細な分析が示されています。2021年から2026年までの中東・アフリカ地域の国別（エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国など）売上高と収益、タイプ別売上、およびアプリケーション別売上が網羅されています。

第9章には、シリコンカーバイド半導体デバイス市場における主要な側面が分析されています。具体的には、市場の推進要因と成長機会、市場が直面する課題とリスク、そして業界の全体的なトレンドに関する洞察が提供されています。

第10章には、シリコンカーバイド半導体デバイスの製造コスト構造に関する分析が記載されています。原材料とサプライヤー、シリコンカーバイド半導体デバイスの製造コスト構造の詳細な分析、製造プロセス分析、およびシリコンカーバイド半導体デバイスの産業チェーン構造に関する情報が含まれています。

第11章には、シリコンカーバイド半導体デバイスのマーケティング、流通業者、および顧客に関する情報が詳述されています。販売チャネルとして直接チャネルと間接チャネルが分析され、主要なシリコンカーバイド半導体デバイスの流通業者、そして最終顧客に関する情報が提供されています。

第12章には、2027年から2032年までのシリコンカーバイド半導体デバイスの世界市場予測レビューが記載されています。地域別（アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東・アフリカ）、タイプ別、およびアプリケーション別の世界市場規模、年間売上高と収益の予測が詳細に示されています。

第13章には、シリコンカーバイド半導体デバイス市場における主要プレイヤー42社の詳細な分析が提供されています。各企業について、会社情報、シリコンカーバイド半導体デバイスの製品ポートフォリオと仕様、2021年から2026年までの売上高、収益、価格、粗利率、主要事業の概要、および最新の動向が網羅的に記載されています。

第14章には、本レポート全体の調査結果のまとめと結論が提示されています。

■ シリコンカーバイド半導体デバイスについて

シリコンカーバイド半導体デバイスは、シリコンカーバイド（SiC）という材料を使用して作られた半導体デバイスのことを指します。シリコンカーバイドは、炭素とケイ素の化合物であり、その優れた物理的特性から、半導体技術において非常に注目されています。特に、高温や高電圧環境での動作が可能で、効率的なエネルギー変換が行えるため、さまざまな用途に対応できる特徴を持っています。

シリコンカーバイド型の半導体デバイスには、主にパワーMOSFET、IGBT、ダイオード、トランジスタなどの種類があります。これらのデバイスは、電子機器や電力制御システムの重要なコンポーネントとして使用されています。特に、パワーMOSFETは、高効率なスイッチング動作が可能で、電力損失を大幅に低減できるため、電力変換装置やインバータに広く利用されています。IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、高電圧と大電流に対応できるため、主に鉄道や産業用の駆動システムに用いられます。また、SiCダイオードは、逆回復特性が優れており、高速スイッチングが要求されるアプリケーションに適しています。

シリコンカーバイド半導体デバイスの最も一般的な用途は、再生可能エネルギー関連のシステムです。例えば、太陽光発電のインバータや風力発電の電力変換装置において、SiCデバイスは高効率を実現し、システムの全体的なエネルギー効率を向上させる役割を果たしています。また、電気自動車やハイブリッド車のパワーエレクトロニクスにおいても、シリコンカーバイドは軽量かつ高効率な電力変換を実現し、バッテリー寿命の延長や充電時間の短縮に寄与しています。

さらに、産業用の電動機制御やヒートポンプ、冷却装置にもシリコンカーバイドデバイスは採用されています。これにより、エネルギーコストの削減と温室効果ガスの排出削減につながります。特に、データセンターや通信インフラにおいても、リニアリティと効率の向上のためにシリコンカーバイドが使用されることが増えてきています。

関連技術としては、シリコンカーバイドのウェハ製造技術やデバイス設計技術が挙げられます。SiCのウェハはシリコンよりも高価ですが、高温や高電圧に対する耐性が高く、これがデバイスのパフォーマンス向上に寄与します。製造工程では、エピタキシャル成長技術やダイシング技術が特に重要で、これらのプロセスはデバイスの性能や歩留まりに大きな影響を与えます。

シリコンカーバイド半導体デバイスは、今後もさらなる発展が期待される分野です。特に、エネルギー効率の向上や環境負荷の低減が求められる中で、SiCの特性を生かした新しいアプローチが模索されています。また、シリコンカーバイドと他の材料とのハイブリッド化や、より高度な製造技術の導入が進むことで、今後の技術革新が期待されます。

このように、シリコンカーバイド半導体デバイスは、その高い特性を活かして多様な分野での応用が進んでおり、今後の産業における重要なキーコンポーネントとなるでしょう。新たな技術の進展や市場のニーズに応じて、シリコンカーバイドの利用範囲は今後さらに広がっていくと考えられています。

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・レポートの形態：英文PDF（Eメールによる納品）
・日本語タイトル：シリコンカーバイド半導体デバイスの世界市場2026年～2032年
・英語タイトル：Global Silicon Carbide Semiconductor Device Market 2026-2032

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