炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場の発展、傾向、需要、成長分析および予測2026－2035年

2026-01-12 13:30

提出日 (2026年01月08)、SDKI Analytics（本社：渋谷区、東京都）は、2026年と2035年の予測期間を対象とした「炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場」に関する調査を実施しました。

市場調査レポートの詳細な洞察は、次の場所で入手できます：
https://www.sdki.jp/reports/silicon-carbide-sic-wafer-market/590642028

調査結果発表日： 2026年01月08
調査者: SDKI Analytics
調査範囲：当社のアナリストは 581市場プレーヤーを対象に調査を実施しました。調査対象となったプレーヤーの規模はさまざまでしました。

調査場所: 北米 (米国およびカナダ)、ラテンアメリカ (メキシコ、アルゼンチン、その他のラテンアメリカ)、アジア太平洋地域 (日本、中国、インド、ベトナム、台湾、インドネシア、マレーシア、オーストラリア、その他のアジア太平洋地域)、ヨーロッパ(イギリス、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、ロシア、ノルディック、その他のヨーロッパ)、および中東とアフリカ (イスラエル、GCC 、北アフリカ、南アフリカ、その他の中東とアフリカ)

調査方法：現地調査 221件、インターネット調査 360件
調査期間： 2025年11月 – 2025年12月
重要なポイント：この調査には、成長要因、課題、機会、最近の市場傾向を含む、炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場の市場動態調査が含まれています。さらに、この調査では、市場の主要なプレーヤーの詳細な競争分析が分析されました。市場調査には、市場の分割と地域分析（日本とグローバル）も含まれます。

市場スナップショット

SDKI Analyticsの分析調査分析によると、炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場規模は2025年に約64億米ドルと記録され、2035年までに市場の収益は約278億米ドルに達すると予測されています。さらに、市場は予測期間中に約17.3 % の CAGR で成長する態勢が整っています。

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市場概要

SDKI Analyticsの炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場調査分析によると、主要サプライヤーの生産能力拡大、200mmウェハーへの移行、垂直統合などが市場成長の主な要因となる見込みです。当社の調査レポートでは、業界の200mm SiCウェハープラットフォームへの移行を含む、サプライヤー主導の集中的な生産能力増強が、自己強化的な成長ドライバーとなっていることを指摘しています。例えば、Wolfspeedの2024～2025年の提出書類には、新規材料製造工場や200mm技術の加速に関連する多額の設備投資、工場立ち上げ費用、稼働率低下に伴う費用が記載されています。

さらに、Infineonの複数年にわたる拡張ロードマップは、2027年までのSiC製造拠点の段階的な拡大計画を示しています。加えて、ROHMとSiCrystalの供給契約（例：STMicroelectronicsへの150mmウェハー供給拡大）は、垂直統合による調達と長期的な供給契約を示しています。これらの傾向は、確実な需要とサプライチェーンの連携強化を浮き彫りにしています。これらの企業の活動は、より大規模で複数年にわたるウェハー生産目標につながり、業界の経済構造を変化させ、資本集約度を高める一方で、規模の経済による優位性をもたらし、2020年代半ばまでに利用可能なSiCウェハー供給の価値プールを大幅に拡大させるでします。

しかし、当社の炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場の現状分析と予測によると、基板生産における高額な設備投資要件は、炭化ケイ素メーカーにとって障壁となる可能性があります。垂直統合型のサプライチェーン構造が世界市場を支配しています。Wolfspeed、ROHMなどの既存企業は、資本集約的なボトルネックを通じて市場をコントロールし、高品質で欠陥のないSiC基板の製造を確保しています。新規参入企業は、既存の競合他社と比較して、高額な設備投資を管理する上で極めて大きな課題に直面しています。

市場セグメンテーション

当社の炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場調査は、市場をデバイスタイプ別に基づいて、MOSFET（金属酸化膜半導体FET）、SBD（ショットキーバリアダイオード）、JFET（ジャンクションゲートFET）とその他に分割されています。中でもMOSFETが市場を牽引しており、予測期間中に世界市場シェアの58%を占めると予想されています。トラクションインバーターにおける優位性、そしてダイオードからフルSiC設計への移行が、これらのサブセグメントの主要な成長要因となっています。800VのEVアーキテクチャは、バッテリー充電において主にSiC MOSFETに依存しています。世界的なEV普及率の上昇に伴い、電気自動車における高速充電を実現するために、MOSFETの需要が拡大しています。

地域概要

当社の炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場に関する洞察によると、アジア太平洋地域は予測期間を通じて48%という主要な収益シェアを維持すると予想されています。市場におけるもう一つの重要な地域は北米です。連邦政府による産業金融支援と半導体分野への重点的なインセンティブは、米国とカナダにおけるSiCウェハーの確実な需要パイプラインを構築しています。米国エネルギー省（DOE）融資プログラムオフィスは、2024年10月にSK Siltron CSSに対し、電気自動車（EV）用パワーエレクトロニクス向けSiCウェハーの生産能力拡大のために544百万米ドルの条件付き融資を承認しました。また、WolfspeedのCHIPS法関連資金に関する覚書（2024年10月）は、2025年の間に政策支援による大規模な設備投資が行われることを示唆しています。

さらに、当社の調査レポートはカナダ統計局のデータを分析し、2024年12月までの製造業出荷額がハイテク分野全体にわたる設備投資プロジェクトを支える持続的な製造販売を示していることを明らかにしました。このように、市場の成果は直接的な因果関係によって形成されており、公的資金やCHIPS法に基づく融資制度によってプロジェクトリスクが大幅に軽減され、工場稼働開始までの期間が短縮されることが明らかです。これは、北米のSiCサプライチェーン全体における受注とサプライヤーの設備投資に迅速に反映されています。

日本のSiCウェハー市場は近年急速な成長を遂げており、予測期間を通じて世界市場でさらに成長すると予測されています。この市場成長は、電気通信および5Gインフラの急速な発展によって牽引されています。日本における5Gネットワークと高度な電気通信インフラの展開拡大には、高性能パワーエレクトロニクスが必要とされています。SiCウェハーは、基地局やデータセンターにおけるより高速かつ効率的な信号伝送とエネルギー管理を可能にするため、通信インフラの拡大は重要な成長要因となっています。

炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場の主要なプレーヤー

当社の調査レポートで述べたように、世界の炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場で最も著名なプレーヤーは次のとおりです:

• Wolfspeed, Inc.
• STMicroelectronics
• ON Semiconductor
• Infineon Technologies
• Coherent Corp.

これに加えて、日本市場のトップ 5 プレーヤーは次のとおりです:

• ROHM Co., Ltd.
• Mitsubishi Electric Corporation
• Fuji Electric Co., Ltd.
• Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
• Sumitomo Electric Industries (SEI)

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会社概要：

SDKI Analyticsの目標は、信頼できる詳細な市場調査と洞察を提供することです。当社は、成長指標、課題、傾向、競争環境に関する詳細な市場レポートの調査と提供に重点を置くだけでなく、最大限の成長と成功に向けてお客様のビジネスを完全に変革することにも重点を置いています。当社の市場調査アナリストは、さまざまな業界や市場分野のあらゆる規模の企業と長年働いてきた経験に基づいています。

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