高出力GaNデバイスの世界市場（2026年～2032年）、市場規模（650V GaNデバイス、700V GaNデバイス）・分析レポートを発表

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「高出力GaNデバイスの世界市場（2026年～2032年）、英文タイトル：Global High Power GaN Devices Market 2026-2032」調査資料を発表しました。本資料には、高出力GaNデバイスの世界市場規模、市場動向、セグメント別予測（650V GaNデバイス、700V GaNデバイス）、関連企業の情報などが盛り込まれています。

■ 主な掲載内容

世界のハイパワーGaNデバイス市場規模は、2025年の4億900万米ドルから2032年には20億3500万米ドルへと拡大すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）26.3%で成長すると見込まれています。
高出力窒化ガリウム（GaN）デバイスは、高電圧（通常 650V 以上）、大電流、および高スイッチング周波数で動作するように設計された、先進的なパワー半導体部品です。 GaNの広いバンドギャップ特性（高い破壊電界、高い熱伝導率、高い電子移動度など）を活用することで、これらのデバイスは、電力密度、効率、および熱管理の面で、従来のシリコンや一部のSiCデバイスを大幅に上回る性能を発揮します。主な製品カテゴリーには、高電圧GaN HEMT、GaNベースのパワーモジュール、およびGaN-on-GaNディスクリートトランジスタが含まれます。 これらのデバイスは、電気自動車（EV）のトラクションインバータ、産業用モータードライブ、航空宇宙・防衛用電源システム、再生可能エネルギー用インバータ（太陽光・風力）、およびスマートグリッドインフラなどで広く利用されています。高出力GaNデバイスは、大電流処理とシステムレベルの統合を実現するため、GaNとドライバのコパッケージ、ダイアタッチ型GaNモジュール、マルチチップ電源システムなどの先進的なパッケージング技術と組み合わせて実装されることが多くあります。
高出力GaNデバイスの将来は、電動化、脱炭素化、および高効率電力システムへの世界的な移行と密接に結びついています。 EVがより軽量で高効率なパワートレインを求める中、GaNがインバーターの体積とスイッチング損失を低減できる特性は、次世代の800V車載アーキテクチャを実現する重要な要素となっています。同様に、再生可能エネルギーやスマートグリッド分野においても、GaNの高周波動作により、よりコンパクトで高効率なインバーターが可能となり、システムレベルでのコスト削減とスペースの節約につながります。 技術の進歩はGaNデバイスの性能限界をも押し広げており、GaN-on-GaNやGaN-on-diamondプラットフォームなどがその一例です。これらは、キロボルト級アプリケーションに適した、強化された放熱性と耐破壊電圧を提供します。さらに、GaNパワーICやモノリシックGaNシステムといった統合ソリューションの台頭に伴い、エコシステムはより高度なデバイス集積化とデジタル制御との互換性へと移行しつつあります。 Transphorm、Infineon、Navitas、EPCといった主要企業に加え、米国、日本、中国の研究開発機関やファウンドリは、高出力GaNの開発に積極的に投資しています。基板やエピタキシープロセスのコスト削減が進むにつれ、従来シリコンIGBTやSiC MOSFETが主流であった産業用および自動車用パワー分野において、高出力GaNデバイスの採用がさらに拡大すると予想されます。
「高出力GaNデバイス産業予測」では、過去の売上実績を検証し、2025年の世界全体の高出力GaNデバイス売上高を概観するとともに、2026年から2032年までの高出力GaNデバイス売上高予測について、地域および市場セクター別の包括的な分析を提供しています。 本レポートでは、高出力GaNデバイスの売上を地域、市場セクター、およびサブセクター別に分類し、世界の高出力GaNデバイス産業について、単位：百万米ドルで詳細な分析を提供しています。
本インサイトレポートは、世界のハイパワーGaNデバイス市場の全体像を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業動向、収益、市場シェア、最新の開発動向、M&A活動に関連する主要なトレンドを明らかにします。また、ハイパワーGaNデバイスのポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場での位置づけ、地理的展開に焦点を当て、主要グローバル企業の戦略を分析することで、加速する世界のハイパワーGaNデバイス市場における各企業の独自の立場をより深く理解できるようにしています。
本インサイトレポートは、高出力GaNデバイスの世界的な展望を形作る主要な市場動向、推進要因、および影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に予測を細分化することで、新興の機会領域を浮き彫りにします。数百件に及ぶボトムアップ型の定性的・定量的市場データに基づく透明性の高い方法論により、本調査の予測は、世界の高出力GaNデバイス市場の現状と将来の軌跡について、極めて精緻な見解を提供します。
本レポートでは、製品タイプ、用途、主要メーカー、主要地域および国別に、高出力GaNデバイス市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示しています。

タイプ別セグメンテーション：
650V GaNデバイス
700V GaNデバイス

用途別セグメンテーション：
モバイルおよび民生用
太陽光発電（PV）、エネルギー貯蔵、風力発電
UPS、データセンターおよびサーバー
防衛・航空宇宙
産業用モーター／ドライブ
自動車およびモビリティ
その他

また、本レポートでは地域別に市場を分類しています：
米州
米国
カナダ
メキシコ
ブラジル
アジア太平洋地域（APAC）
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ
GCC諸国

以下に紹介する企業は、主要な専門家からの情報および各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した上で選定されています。
Innoscience
インフィニオン（GaN Systems）
Navitas（GeneSiC）
Efficient Power Conversion Corporation（EPC）
Power Integrations, Inc.
ルネサスエレクトロニクス（Transphorm）
STマイクロエレクトロニクス
ローム
テキサス・インスツルメンツ
ネクスペリア
中国資源微電子有限公司
南京新幹線科技
オンセミ
杭州西蘭微電子
アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター（AOS）
潤新微電子
GaNext
成都丹西科技
GaNPower
CloudSemi

本レポートで取り上げる主な課題
世界のハイパワーGaNデバイス市場の10年先の見通しは？
世界全体および地域別に、ハイパワーGaNデバイス市場の成長を牽引している要因は何か？
市場および地域別に、最も急速な成長が見込まれる技術はどれか？
ハイパワーGaNデバイス市場の機会は、エンド市場の規模によってどのように異なるか？
ハイパワーGaNデバイスは、タイプ別、用途別にどのように分類されるか？

■ 各チャプターの構成

第1章には、市場の紹介、調査対象期間、調査目的、市場調査方法論、調査プロセスとデータソース、経済指標、考慮された通貨、および市場推定に関する注意点など、本報告書の全体的な範囲と調査の基礎情報が記載されています。

第2章には、高出力GaNデバイスの世界市場の概要がエグゼクティブサマリーとしてまとめられています。これには、2021年から2032年までのグローバル年間売上高の予測、2021年、2025年、2032年における地理的地域別および国/地域別の現在および将来の市場分析が含まれます。また、650V GaNデバイスと700V GaNデバイスというタイプ別のセグメント分析、およびモバイル・コンシューマー、PV・エネルギー貯蔵・風力発電、UPS・データセンター・サーバー、防衛・航空宇宙、産業用モーター/ドライブ、自動車・モビリティ、その他の用途別のセグメント分析が詳細に記述されており、それぞれのタイプ別および用途別の世界市場シェア、収益、販売価格が2021年から2026年までの期間で示されています。

第3章には、企業別の世界市場詳細が分析されています。これには、2021年から2026年までの企業別の年間売上高、売上市場シェア、年間収益、収益市場シェア、販売価格データが含まれます。さらに、主要メーカーの高出力GaNデバイスの生産拠点分布、販売地域、提供製品タイプ、市場集中度分析、競争環境、CR3、CR5、CR10といった集中度（2024年から2026年）、新製品および潜在的な新規参入企業、市場のM&A活動と戦略に関する情報が示されています。

第4章には、高出力GaNデバイスの世界市場の歴史的なレビューが地理的地域別および国/地域別に記述されています。2021年から2026年までの期間における各地域での年間売上高と年間収益の推移が詳細に分析されており、アメリカ大陸、APAC、ヨーロッパ、中東・アフリカにおける高出力GaNデバイスの売上成長が特に注目されています。

第5章には、アメリカ大陸市場に特化した分析が記述されています。これには、2021年から2026年までの国別（米国、カナダ、メキシコ、ブラジルなど）の売上高と収益、タイプ別の売上高、および用途別の売上高に関する詳細なデータが含まれます。

第6章には、APAC市場に特化した分析が記述されています。これには、2021年から2026年までの地域別（中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、中国台湾など）の売上高と収益、タイプ別の売上高、および用途別の売上高に関する詳細なデータが含まれます。

第7章には、ヨーロッパ市場に特化した分析が記述されています。これには、2021年から2026年までの国別（ドイツ、フランス、イギリス、イタリア、ロシアなど）の売上高と収益、タイプ別の売上高、および用途別の売上高に関する詳細なデータが含まれます。

第8章には、中東・アフリカ市場に特化した分析が記述されています。これには、2021年から2026年までの国別（エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国など）の売上高と収益、タイプ別の売上高、および用途別の売上高に関する詳細なデータが含まれます。

第9章には、高出力GaNデバイス市場の成長を推進する要因、存在する市場の課題とリスク、および現在の業界トレンドに関する考察が記述されています。これには、市場の推進要因と成長機会、市場の課題とリスク、業界のトレンドが含まれます。

第10章には、高出力GaNデバイスの製造コスト構造に関する詳細な分析が記述されています。これには、原材料とサプライヤーの特定、製造コスト構造の分析、製造プロセスの分析、および高出力GaNデバイスの産業チェーン構造に関する情報が含まれています。

第11章には、高出力GaNデバイスのマーケティング戦略、流通チャネル、および顧客に関する情報が記述されています。これには、直接チャネルと間接チャネルを含む販売チャネル、高出力GaNデバイスの主要な流通業者、およびターゲットとなる顧客層に関する情報が含まれます。

第12章には、高出力GaNデバイスの世界市場の将来予測が記述されています。これには、2027年から2032年までの期間における地域別（アメリカ大陸、APAC、ヨーロッパ、中東・アフリカの国別および地域別）、タイプ別、用途別の市場規模と年間収益の予測が含まれます。

第13章には、Innoscience、Infineon (GaN Systems)、Navitas (GeneSiC)、Efficient Power Conversion Corporation (EPC)、Power Integrations, Inc.、Renesas Electronics (Transphorm)、STMicroelectronics、Rohm、Texas Instruments、Nexperiaなど、主要な高出力GaNデバイスメーカー20社の詳細な分析が個別に記述されています。各企業について、会社情報、高出力GaNデバイスの製品ポートフォリオと仕様、2021年から2026年までの売上、収益、価格、粗利、主要事業概要、および最新の動向が提供されています。

第14章には、本報告書全体の調査結果の要約と結論が記述されています。

■ 高出力GaNデバイスについて

高出力GaNデバイスは、窒化ガリウム（GaN）を基盤とした半導体デバイスであり、主に高電圧、高周波、高効率の電力変換に特化しています。GaNは、シリコン(Si)に比べて高い電子移動度と広いバンドギャップを持つため、高温環境や高周波でも優れた性能を示します。これにより、GaNデバイスは、高出力かつ小型化が可能なため、さまざまな応用分野で利用されています。

GaNデバイスにはいくつかの種類があります。まず、GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）は、功率増幅器やスイッチング電源に広く用いられています。HEMTは、高周波信号の増幅に適しており、特に無線通信やレーダーシステムで活用されています。また、GaN FET（フィールド効果トランジスタ）も一般的であり、高効率な電力変換が求められるアプリケーションに使用されることが多いです。

高出力GaNデバイスの用途は幅広く、通信、軍事、医療、電動車両、太陽光発電、工業用機器など、さまざまな領域で採用されています。特に、5G通信における基地局や衛星通信システムでは、GaNデバイスを用いることで高効率な信号処理が実現可能となります。さらに、電動車両のインバータや充電器においても、GaNデバイスの使用が増えており、これによりシステム全体の小型化やエネルギー効率の向上が達成されています。

GaNデバイスの開発と製造には、様々な関連技術が関与しています。まず、GaN基板の成長技術が重要です。エピタキシャル成長法を用いて、高品質なGaN層を形成することが求められます。また、製造プロセスにおいては、リソグラフィやエッチング技術が必要で、これらの技術は高い精度を持つ微細加工が可能です。

高出力GaNデバイスは、これまでのシリコンベースのデバイスに比べて高いスイッチング周波数を実現しており、これによりシステム全体の効率を高めることができます。例えば、従来のシリコンデバイスでは動作できなかった高周波数帯域での動作が可能であり、それによって、無線通信やデータセンターの電力管理においても大きな利点があります。

また、GaNデバイスは高温耐性があるため、エネルギー効率が求められる環境においても安心して使用できます。特に、航空宇宙や軍事用途では、過酷な条件下でも信頼性が高い性能を発揮します。

これらの特性により、高出力GaNデバイスは今後も多くの分野での研究・開発が進められ、さらなる技術革新が期待されています。特に、持続可能なエネルギー開発が重要視される現代において、高効率な電力変換がもたらす環境への負荷軽減は、ますます大きな課題となっています。GaNデバイスはその解決策の一翼を担う存在となるでしょう。

今後、GaNデバイスはますます多様化し、高度な機能を持つ新しいアプリケーションが登場することが予想されます。さらに、競争力を持つ新しい材料や設計方法が開発され、GaN技術の進展は続くでしょう。これにより、さまざまな産業におけるエネルギー効率とコスト簡素化が促進され、持続可能な未来の実現に貢献することが期待されています。

■ 本調査レポートに関するお問い合わせ・お申込みはこちら　
　　⇒ https://www.marketresearch.co.jp/contacts/
・レポートの形態：英文PDF（Eメールによる納品）
・日本語タイトル：高出力GaNデバイスの世界市場2026年～2032年
・英語タイトル：Global High Power GaN Devices Market 2026-2032

■株式会社マーケットリサーチセンターについて
https://www.marketresearch.co.jp/
主な事業内容：市場調査レポ－トの作成・販売、市場調査サ－ビス提供
本社住所：〒105－0004東京都港区新橋1-18-21
TEL：03-6161-6097、FAX：03-6869-4797
マ－ケティング担当、marketing@marketresearch.co.jp