GaNおよびSiCパワー半導体の世界市場

株式会社グローバルインフォメーション(所在地:神奈川県川崎市、代表者:樋口 荘祐、証券コード:東証スタンダード 4171)は、市場調査レポート「GaNおよびSiCパワー半導体の世界市場」(Global Industry Analysts, Inc.)の販売を10月15日より開始しました。
GaNおよびSiCパワー半導体の世界市場は2030年までに48億米ドルに達する
2024年に15億米ドルと推定されるGaNおよびSiCパワー半導体の世界市場は、2024-2030年の分析期間においてCAGR 21.2%で成長し、2030年には48億米ドルに達すると予測されます。本レポートで分析したセグメントの1つであるSICパワーモジュールは、CAGR19.0%を記録し、分析期間終了時には22億米ドルに達すると予測されます。GaNパワーモジュール分野の成長率は、分析期間でCAGR 24.8%と推定されます。
米国市場は推定4億1,300万米ドル、中国はCAGR 28.1%で成長予測
米国のGaNおよびSiCパワー半導体市場は、2024年に4億1,300万米ドルと推定されます。世界第2位の経済大国である中国は、2024~2030年のCAGR 28.1%で、2030年には市場規模11億米ドルに達すると予測されています。その他の注目すべき地域別市場としては、日本とカナダがあり、分析期間中のCAGRはそれぞれ17.3%と18.9%と予測されています。欧州では、ドイツがCAGR 17.8%で成長すると予測されています。
市場成長を促す主な要因とは?
GaNおよびSiCパワー半導体市場の成長は、高効率パワーエレクトロニクス需要の増加、半導体製造の進歩、電気自動車や再生可能エネルギー設備の拡大など、いくつかの要因によってもたらされます。交通機関や産業部門における電動化へのシフトは、エネルギー損失を低減し、システムの信頼性を向上させる高性能パワーデバイスの必要性を加速させています。さらに、エネルギー効率とカーボンフットプリントの削減を推進する規制が、GaNとSiCパワー・ソリューションの採用をさらに後押ししています。
また、半導体製造能力の拡大や、GaN-on-Si技術などのコスト効率の高い生産技術の開発も、これらの半導体をより安価にすることで市場の成長に寄与しています。さらに、AI主導の電力管理やスマートグリッド技術の採用が進むことで、GaNやSiCベースのシステムの効率が向上し、産業用および住宅用アプリケーションのエネルギー配分が最適化されています。産業界がエネルギー効率の高いパワー・ソリューションへの移行を続ける中、GaNおよびSiC半導体は、高性能パワー・エレクトロニクスの未来を形作る上で重要な役割を果たすと予想されます。
目次
第1章 調査手法
第2章 エグゼクティブサマリー
第3章 市場分析
第4章 競合
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