シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスの日本市場（2026年～2034年）、市場規模（SiCディスクリートデバイス、SiCパワーモジュール、低電圧）・分析レポートを発表

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスの日本市場（2026年～2034年）、英文タイトル：Japan Silicon Carbide (SiC) Power Devices Market 2026-2034」調査資料を発表しました。資料には、シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスの日本市場規模、動向、予測、関連企業の情報などが盛り込まれています。

■主な掲載内容

日本におけるシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場は、2025年に1億1,102万米ドルの規模に達しました。その後、2034年までに6億9,956万米ドルに達すると予測されており、2026年から2034年の期間で年平均成長率（CAGR）22.69%という堅調な成長が見込まれています。この市場は、政府主導による半導体産業政策と多額の補助金、電気自動車（EV）普及の加速、再生可能エネルギーインフラの拡大によって推進されています。さらに、AIベースのデータセンターの導入拡大も市場の成長を後押ししています。

市場は予測期間を通じて力強い成長が期待されており、半導体製造インフラへの戦略的な政府投資、次世代パワーデバイス技術に焦点を当てた産学連携の深化がその原動力となります。自動車および産業分野における電化の拡大は、高効率SiCコンポーネントに対する実質的な需要を生み出しています。また、高度な熱管理能力を必要とするエネルギー集約型AIデータセンターの普及も、市場拡大に追加的な勢いをもたらしています。

AIは、日本全国のデータセンターインフラの指数関数的な拡大を促進することで、SiCパワーデバイスの需要を大幅に増幅させています。SiCデバイスは、集中的な電力要件を管理するために不可欠な優れた効率と熱性能を可能にすると同時に、日本のより広範なデジタル変革イニシアティブを支援し、AIコンピューティング能力における国の競争力を向上させています。ハイパースケール施設が全国的に増え続けるにつれて、SiCパワーエレクトロニクスはエネルギー消費を最適化し、信頼性の高い高密度コンピューティングインフラの運用を確保するために不可欠なものとなっています。

市場の主要なトレンドと成長ドライバーとしては、政府主導の半導体産業政策と戦略的補助金が挙げられます。日本政府は、国内サプライチェーンの確保と重要なパワーデバイス製造における技術的自給自足を目指す包括的な半導体活性化戦略を実行しています。経済産業省は、主要メーカーの生産能力拡大を支援し、業界パートナーと学術機関間の共同研究イニシアティブを育成するために、特定の補助金プログラムを通じて多額の財源を割り当てています。これらの政策介入は、国家のエネルギー安全保障目標達成とグローバルなハイテク市場における競争力維持のためにSiC技術が重要であるという戦略的認識を反映しています。2024年9月までに、日本政府は半導体に250億ドル以上を補助金として割り当てており、これは市場成長を加速させる根本的な要因となっています。

次に、EV普及の加速と電化義務も重要なドライバーです。日本政府は、内燃機関からの移行を加速させるための包括的な規制枠組みと多額の財政的インセンティブを通じて、EV普及を積極的に推進しています。政府機関は、電動車両販売浸透のための野心的な目標と、自動車メーカーがEV製品を急速に拡大し、高度なパワーエレクトロニクス技術を統合することを促す厳しい排出削減要件を設定しています。主要自動車メーカーは、従来のシリコンベースの代替品と比較して優れた効率と走行距離を提供するSiCインバーターを搭載した次世代電動パワートレインに多額の投資を行うことでこれに応えています。2024年9月には、日産自動車のEVバッテリー開発イニシアティブに対し、日本政府が557億円（約3億9136万米ドル）の支援を表明しました。EV生産量の拡大は、トラクションインバーターや車載充電器におけるSiCパワーモジュールの実質的な需要を生み出しており、自動車アプリケーションはSiCパワーデバイス消費の主要な成長ドライバーとして認識されつつあります。

さらに、再生可能エネルギーインフラの拡大も市場の成長を促進しています。日本は、エネルギー自給率を高め、国際的にコミットされた脱炭素目標を達成するために、野心的な再生可能エネルギー導入プログラムを推進しており、太陽光発電と洋上風力発電は政府機関と電力事業者から優先的な開発支援を受けています。2025年2月には、日本政府は第7次戦略的エネルギー計画（SEP）を承認し、中長期的なエネルギー戦略の方向性を確立しました。第7次SEPによると、再生可能エネルギー源は2040年までに火力発電を上回り、発電ミックスの主要な貢献源となることが期待されています。この再生可能エネルギーの拡大は、エネルギー変換効率を最大化し、システム損失と熱管理要件を最小限に抑えるために、SiC半導体を利用した高性能インバーターおよびコンバーターの広範な導入を必要とします。

一方で、市場はいくつかの主要な課題にも直面しています。第一に、SiC材料とデバイス製造に関連する高い生産コストと、規模の経済性の限界が成長を妨げています。SiCウェハーは、複雑な結晶成長プロセス、限られた認定サプライヤー数、製造中の高い欠陥率のため、従来のシリコンウェハーよりも大幅に高価です。特殊な製造設備と高度なプロセス技術の必要性も、日本のメーカーにとって設備投資をさらに増加させています。需要が増加しているにもかかわらず、市場はまだコストを大幅に削減できるほどの規模の経済性を達成しておらず、その結果、デバイス価格は高止まりし、コストに敏感な業界での採用を妨げています。

第二に、サプライチェーンの制約と、高品質SiCウェハーの国内生産の限界も課題です。日本は半導体に関する強力な専門知識を持つものの、SiC原材料と基板については少数のグローバルサプライヤーに大きく依存しています。この限定的な入手可能性は、デバイスメーカーにとってリードタイム、供給の不確実性、価格変動を増加させます。さらに、中国、米国、欧州からのSiC材料をめぐる競争が激化しており、調達はさらに困難になっています。日本は国内SiCウェハー製造能力の構築に投資していますが、進捗は漸進的であり、多額の研究開発（R&D）支出を必要とします。自給自足が改善されるまで、メーカーは生産の拡大、需要急増への対応、価格競争力の維持という課題に直面するでしょう。

第三に、SiC技術の技術的複雑性と、熟練した労働力の限界も大きな課題です。信頼性の高いSiCデバイスの開発には、ワイドバンドギャップ半導体物理学、熱管理、パッケージング技術、高電圧性能工学の習得が必要です。多くのメーカーやエンドユーザーは、SiCシステム統合に関する深い専門知識を依然として欠いており、それが導入を遅らせています。日本は、ワイドバンドギャップ技術に特化した熟練した半導体エンジニアや研究者の不足にも直面しており、人材プールは少数の主要企業や研究機関に集中しています。このスキルギャップは、新規参入企業が競争力のある製品を開発したり、イノベーションサイクルを加速させたりすることを困難にしています。

本調査会社は、日本におけるシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場を、タイプ（SiCディスクリートデバイス、SiCパワーモジュール）、電圧範囲（低電圧、中電圧、高電圧）、アプリケーション（自動車、産業、家電、通信、エネルギー・電力、航空宇宙・防衛、医療機器）、および地域（関東、関西/近畿、中部/中部の各地域、九州・沖縄、東北、中国、北海道、四国）に基づいて詳細に分析しています。

市場は統合された競争構造を特徴としており、深い技術的専門知識と主要な自動車および産業顧客との長年の関係を持つ確立された国内半導体メーカーが存在します。競争は、高度なデバイスアーキテクチャ、製造プロセス革新、およびディスクリートコンポーネントと洗練されたパッケージングおよび熱管理能力を組み合わせた統合ソリューションを通じた技術的差別化に集中しています。主要企業は、サプライチェーンの管理を確保し、複数の生産段階で価値を獲得するために、基板生産、デバイス製造、モジュール組立を含む垂直統合戦略を追求しています。次世代プラットフォームに関連する技術採用の加速と開発リスクの共有を目指して、パワーデバイスメーカー、自動車OEM、および再生可能エネルギーシステムインテグレーター間の戦略的協力が増加しています。

第1章には序文が記載されている。
第2章には、調査の目的、ステークホルダー、データソース（一次・二次）、市場推定方法（ボトムアップ・トップダウン）、予測方法論といった調査範囲と方法論に関する項目が記載されている。
第3章にはエグゼクティブサマリーが記載されている。
第4章には、市場概要、市場ダイナミクス、業界トレンド、競合インテリジェンスといった日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の紹介に関する項目が記載されている。
第5章には、2020年から2025年までの過去および現在の市場トレンドと、2026年から2034年までの市場予測を含む、日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の状況が記載されている。
第6章には、SiCディスクリートデバイスとSiCパワーモジュールの各タイプについて、概要、過去・現在の市場トレンド、市場予測といったタイプ別の日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の内訳が記載されている。
第7章には、低電圧、中電圧、高電圧の各電圧範囲について、概要、過去・現在の市場トレンド、市場予測といった電圧範囲別の日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の内訳が記載されている。
第8章には、自動車、産業、家電、通信、エネルギー・電力、航空宇宙・防衛、医療機器の各アプリケーションについて、概要、過去・現在の市場トレンド、市場予測といったアプリケーション別の日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の内訳が記載されている。
第9章には、関東、関西/近畿、中部、九州-沖縄、東北、中国、北海道、四国の各地域について、概要、過去・現在の市場トレンド、タイプ別内訳、電圧範囲別内訳、アプリケーション別内訳、主要企業、市場予測といった地域別の日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の内訳が記載されている。
第10章には、市場概要、市場構造、市場プレイヤーのポジショニング、トップの勝利戦略、競合ダッシュボード、企業評価象限といった日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の競合状況に関する項目が記載されている。
第11章には、事業概要、提供製品、事業戦略、SWOT分析、主要ニュースとイベントを含む主要企業のプロファイルが記載されている。
第12章には、促進要因、阻害要因、機会、ポーターの5フォース分析、バリューチェーン分析といった日本のシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス市場の業界分析に関する項目が記載されている。
第13章には付録が記載されている。

【シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスについて】

シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは、次世代の半導体材料であるシリコンカーバイド（炭化ケイ素）を用いた電力変換用半導体素子であり、従来のシリコン（Si）ベースのデバイスが持つ性能限界を超えることで、高効率かつ小型・軽量な電力変換を実現する画期的な技術です。SiCは、Siと比較して約3倍のバンドギャップ、約10倍の絶縁破壊電界強度、約3倍の熱伝導率、約2倍の飽和電子速度という優れた物理特性を持つことから、デバイスはより高い電圧に耐え、より少ない電力損失で動作し、より高速にスイッチングでき、高温環境下でも安定して機能することが可能になります。

これらのSiCの特性は、パワーデバイスにおいて極めて大きな利点をもたらします。高耐圧化と低オン抵抗化により、電力変換時のエネルギー損失を大幅に削減し、特に高電圧・大電流用途での効率向上に貢献します。また、高速スイッチング能力により、回路の動作周波数を高めることが可能となり、リアクトルやコンデンサといった受動部品の小型化・軽量化に繋がります。さらに、優れた熱伝導率と高温動作耐性により、過酷な環境下での信頼性を確保しつつ、冷却システムの簡素化や小型化も実現し、システムの総コスト低減にも寄与します。主なデバイスとしては、高耐圧・低逆回復損失が特徴のSiCショットキーバリアダイオード（SBD）や、高速スイッチングと低オン抵抗を両立するSiC-MOSFETが実用化されています。

SiCパワーデバイスのこれらの優れた特性は、幅広い分野でその真価を発揮しています。特に、電気自動車（EV）の駆動用インバータやオンボードチャージャー、急速充電器では、航続距離の延長や充電時間の短縮、システムの小型化に不可欠な技術となっています。また、太陽光発電や風力発電といった再生可能エネルギーシステムのパワーコンディショナにおいては、発電効率の向上とシステムコストの削減に貢献します。その他、産業用モータ駆動装置、データセンターのサーバー用電源、鉄道車両、さらには航空宇宙分野など、高効率・高信頼性が求められるあらゆる電力変換システムへの適用が急速に進んでいます。現在、SiCパワーデバイスは量産化が進み、徐々にコストも低減しつつありますが、Siデバイスに比べるとまだ高価です。しかし、その圧倒的な性能優位性から、今後の社会における省エネルギー化、脱炭素化の推進に不可欠なキーデバイスとして位置づけられており、さらなる製造技術の進化やコストダウン、応用分野の拡大が期待されています。

■当英文調査レポートに関するお問い合わせ・お申込みはこちら
https://www.marketresearch.co.jp/contacts/

■株式会社マーケットリサーチセンターについて
https://www.marketresearch.co.jp/
主な事業内容：市場調査レポ－トの作成・販売、市場調査サ－ビス提供
本社住所：〒105－0004東京都港区新橋1－18－21
TEL：03－6161－6097、FAX：03－6869－4797
マ－ケティング担当、marketing@marketresearch.co.jp