シリコンカーバイド（SiC）ウエハーの世界市場

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「シリコンカーバイド（SiC）ウエハーの世界市場」（Global Industry Analysts, Inc.）の販売を10月16日より開始しました。

【当レポートの詳細目次】
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2024年に8億7,450万米ドルと推定されるシリコンカーバイド（SiC）ウエハーの世界市場は、2024-2030年の分析期間においてCAGR 24.8%で成長し、2030年には33億米ドルに達すると予測されます。本レポートで分析したセグメントの一つである6インチウエハは、CAGR26.6%を記録し、分析期間終了時には23億米ドルに達すると予測されています。2～4インチウエハーセグメントの成長率は、分析期間中CAGR20.9％と推定されます。

米国のシリコンカーバイド（SiC）ウエハー市場は、2024年に2億2,990万米ドルと推定されます。世界第2位の経済大国である中国は、2030年までに5億100万米ドルの市場規模に達すると予測され、分析期間2024-2030年のCAGRは23.4%です。その他の注目すべき地域別市場としては、日本とカナダがあり、分析期間中のCAGRはそれぞれ22.9%と21.2%と予測されています。欧州では、ドイツがCAGR約16.9%で成長すると予測されています。

シリコンカーバイド（SiC）ウエハー市場は、エネルギー効率に優れたソリューションに対する需要の高まりに沿った規制、技術、経済的要因の組み合わせによって、世界的に力強い成長を遂げています。世界各国の政府は、二酸化炭素排出量を削減し、エネルギー効率を向上させるための政策を制定しており、その結果、輸送、インフラ、エネルギーシステムにおいてSiCベースのパワーエレクトロニクスの採用が促進されています。電気自動車や再生可能エネルギーの導入に対する奨励金が、SiCウエハーや関連部品の需要を直接支えています。一方、世界の電力需要の着実な増加と信頼性の高い電力変換システムの必要性は、送電網の近代化とバックアップ電源システムにおいてSiC技術の機会を生み出しています。半導体企業は、原料SiC結晶から完成デバイスに至るまで一貫した供給を確保するため、垂直統合への投資を強化する一方、規模の拡大とプロセスの最適化を通じて製造コストを削減しています。新規参入と競争の激化は、技術革新と価格競争力をさらに促進しています。さらに、ウエハー検査、計測、欠陥検出の進歩が製品の信頼性を高め、ミッションクリティカルなアプリケーションでの採用を後押ししています。環境問題への関心も、より持続可能な半導体製造を後押ししており、SiCデバイスは効率面で優れているため、この移行において有利な立場にあります。世界中の産業が、より優れた性能、より小さなフットプリント、より環境に優しいパワーエレクトロニクスを求めている中、これらの力が収束することで、SiCウエハー市場の継続的な拡大の舞台が整いつつあります。

第1章 調査手法
第2章 エグゼクティブサマリー
第3章 市場分析
第4章 競合

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