次世代MRAM半導体磁気抵抗素子市場の発展、傾向、需要、成長分析および予測2025-2035年
提出日 (2025年09月22)、SDKI Analytics(本社:渋谷区、東京都)は、2025年と2035年の予測期間を対象とした「次世代MRAM半導体磁気抵抗素子市場」に関する調査を実施しました。
市場調査レポートの詳細な洞察は、次の場所で入手できます:
https://www.sdki.jp/reports/next-gen-mram-semiconductor-magnetoresistive-elements-market/590641673
調査結果発表日: 2025年09月22
調査者: SDKI Analytics
調査範囲: 当社のアナリストは 560市場プレーヤーを対象に調査を実施しました。調査対象となったプレーヤーの規模はさまざまでしました。
調査場所: 北米 (米国およびカナダ)、ラテンアメリカ (メキシコ、アルゼンチン、その他のラテンアメリカ)、アジア太平洋地域 (日本、中国、インド、ベトナム、台湾、インドネシア、マレーシア、オーストラリア、その他のアジア太平洋地域)、ヨーロッパ(イギリス、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、ロシア、ノルディック、その他のヨーロッパ)、および中東とアフリカ (イスラエル、GCC 、北アフリカ、南アフリカ、その他の中東とアフリカ)
調査方法: 現地調査 230 件、インターネット調査 330件
調査期間: 2025年08月 – 2025年09月
重要なポイント: この調査には、成長要因、課題、機会、最近の市場傾向を含む、次世代MRAM半導体磁気抵抗素子市場の市場動態調査が含まれています。さらに、この調査では、市場の主要なプレーヤーの詳細な競争分析が分析されました。市場調査には、市場の分割と地域分析(日本とグローバル)も含まれます。
市場スナップショット
SDKI Analyticsの分析調査分析によると、次世代MRAM半導体磁気抵抗素子市場規模は2024年に約32.6億米ドルと記録され、2035年までに市場の収益は約364.9億米ドルに達すると予測されています。 さらに、市場は予測期間中に約24.2% の CAGR で成長する態勢が整っています。

市場概要
SDKI Analyticsによる次世代MRAM半導体磁気抵抗素子に関する市場調査分析によると、ファウンドリとIPエコシステムの成熟により、市場は大きく成長すると予測されています。次世代MRAMの台頭は、成熟しつつあるグローバルなファウンドリとIPエコシステムによって支えられています。Samsung、TSMC、GF、Intelといった大手ファブは、22FDX、28FD-SOI、FinFETなど、複数のノードにわたるeMRAMの基盤を構築しており、SoC統合リスクの低減と大量導入を可能にしています。ArmコンパイラIPやEDAツールチェーンなどの標準化されたIPは、地域をまたいだ設計の合理化をサポートします。ビット単価の低下とマルチソース化の実現可能性が高まるにつれ、MRAMは2030年までにエッジ、車載、産業用SoCにおけるデフォルトの組み込みメモリになると確信されています。
しかし、当社の次世代MRAM半導体磁気抵抗素子市場の最新分析および予測によると、償還および支払者との交渉は大きな課題を伴います。医療、自動車安全、公共部門のICTシステムに導入される次世代MRAM半導体磁気抵抗素子にとって、償還または入札ベースの調達は大きな課題となります。単純な価格競争にもかかわらず、採用は、支払者と管理者に対して経済的価値、信頼性、長期的な費用対効果を示すことにかかっています。生産者は、長期にわたる交渉、価格譲歩、そして市販後の課題に直面しています。米国のメディケアと大手保険会社はこれまで大幅な値引き交渉を行い、正味価格を下げてきましたが、日本の厚生労働省は2026年度に費用対効果評価を拡大する予定です。こうした状況から、償還関連市場や政府主導市場に注力するMRAMサプライヤーにとって、支払者との交渉能力は称賛に値する成功要因となります。
最新ニュース
当社の調査によると、次世代MRAM半導体磁気抵抗素子市場の企業では最近ほとんど開発が行われていないことがわかりました。 これらは:
• 2024年7月:Samsung Electronicsは、車載、ウェアラブル、エッジAIアプリケーション向けセットMRAM(eMRAM)の商用化拡大に向けた取り組みを開始し、SRAMと比較してサイズを縮小し、30~50ナノ秒の読み書き速度を実現しました。主なターゲットは、ティア1 OEMとAIエッジデバイスでしました。
• 2023年3月:GlobalFoundriesは、車載MCUにおけるeFlashの代替として位置付けられる組み込みアプリケーション向け先進的な12nm MRAMの統合を開始しました。これにより、耐久性が25%向上し、リーク電流が20%低減しました。
経営層の意思決定に役立つ戦略的洞察を得るため、次世代MRAM半導体磁気抵抗素子市場調査レポートの試読版をご請求ください:
https://www.sdki.jp/trial-reading-request-590641673
市場セグメンテーション
当社の次世代MRAM半導体磁気抵抗素子市場調査では、技術ノード別に基づいて、28nm+、22nm、12nm、10nm以下をに市場を分割されています。このうち、12nm技術は2035年にこのセグメントの41.6%のシェアを占めると予想されています。12nm技術は、より小さなフットプリントで高密度と高性能を実現します。これは、AI/MLおよびIoTデバイスの膨大なデータ要件を処理するために不可欠です。12nm技術ベースの半導体は消費電力が少なく、優れた熱管理を提供するため、市場での好感度が高まっています。
民生用電子機器および産業オートメーションにおけるトグルMRAM、自動車、エンタープライズストレージ、エッジAIにおけるSTT-MRAM、航空宇宙およびロボティクスにおけるSOT-MRAM、ウェアラブルおよびAIデバイスにおける電圧制御MRAMはすべて、速度、持続性、効率、信頼性に対する世界中の多様な需要を満たすための取り組みです。これらの機能はすべて、次世代MRAMが世界中のさまざまな産業において、常時オン、瞬時オン、電力効率の高いメモリソリューションにどのように役立つかを示しています。
地域概要
当社の次世代MRAM半導体磁気抵抗素子市場に関する調査によると、アジア太平洋地域は予測期間中に約39%の最大の市場シェアを占めると予想されています。アジア太平洋地域におけるテクノロジー分野の進歩は、次世代MRAM半導体磁気抵抗素子の有用性向上を後押ししています。AIの高度な活用はデータセンターの需要を高め、ストレージ施設の需要拡大につながっています。MRAM半導体はストレージシステムに役立ち、この地域のメモリチップ市場を押し上げます。
日本では、MRAMなどの不揮発性メモリを含む次世代メモリ市場が、半導体サプライチェーンの現地化に注力する中で成長しています。日本政府は、生産量拡大のため、半導体産業に3.9兆円を投資してきました。この産業への注目の高まりは、MRAM半導体市場の拡大につながる可能性のある進歩を示しています。
次世代MRAM半導体磁気抵抗素子市場の主要なプレーヤー
当社の調査レポートで述べたように、世界の次世代MRAM半導体磁気抵抗素子市場で最も著名なプレーヤーは次のとおりです:
• Everspin Technologies
• Avalanche Technology
• Honeywell International
• Intel Corporation
• Spin Memory Inc.
これに加えて、日本市場のトップ 5 プレーヤーは次のとおりです:
• TDK Corporation
• Fujitsu Semiconductor (RAMXEED)
• Renesas Electronics
• Toshiba Electronic Devices
• Hitachi High-Tech
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SDKI Analyticsの目標は、信頼できる詳細な市場調査と洞察を提供することです。当社は、成長指標、課題、傾向、競争環境に関する詳細な市場レポートの調査と提供に重点を置くだけでなく、最大限の成長と成功に向けてお客様のビジネスを完全に変革することにも重点を置いています。当社の市場調査アナリストは、さまざまな業界や市場分野のあらゆる規模の企業と長年働いてきた経験に基づいています。
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