「炭化珪素パワー半導体の基盤技術確立と実用化への貢献」で 第20回 山崎貞一賞を受賞

福島SiC応用技研株式会社(本社：福島県双葉郡楢葉町、代表取締役社長：古久保雄二)の中村孝(取締役副社長)は、このたび、第20回 一般財団法人材料科学技術振興財団 山崎貞一賞を受賞いたしました。

同賞は、科学技術水準の向上とその普及啓発に寄与することを目的とし、また同財団の初代理事長、故山崎貞一氏の科学技術および産業の発展に対する功績、人材の育成に対しての貢献を記念して創設された賞です。「材料」、「半導体及び半導体装置」、「計測評価」、「バイオサイエンス・バイオテクノロジー」の4分野からなり、実用化につながる優れた創造的業績が対象となります。今回、弊社 中村孝の炭化珪素(SiC)パワー半導体の基盤技術確立と実用化への貢献が評価され、「半導体及び半導体装置」分野での受賞の運びとなりました。

今後弊社は、今回の受賞を励みに引き続きSiCパワー半導体を用いた製品の実用化、社会実装を進め、省エネルギー社会の実現に励んで参ります。
本賞の詳細や受賞者については、一般財団法人材料科学技術振興財団 山崎貞一賞のウェブサイトをご参照ください。
https://www.mst.or.jp/Portals/0/prize/index.html

[福島SiC応用技研株式会社]
SiC半導体を用いたパワーエレクロニクス製品の開発、及び製造販売を主力事業としている技術ベンチャーです。SiC半導体の社会実装を促進するとともに、従来のSi半導体では実現が困難であった革新的なパワーエレクロニクス技術の開発、及びその応用製品を市場に提供することで震災復興への貢献を目指しています。
会社ホームページ： http://www.fukushima-sic.co.jp/

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