ディスクリート半導体： 市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測（2024～2029年）

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「ディスクリート半導体： 市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測（2024～2029年）」（Mordor Intelligence）の販売を4月17日より開始しました。

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ディスクリート半導体市場規模は、2024年に457億2,000万米ドルと推定され、2029年までに684億6,000万米ドルに達すると予測されており、予測期間（2024年から2029年）中に8.41％のCAGRで成長します。

ディスクリート半導体市場は、エレクトロニクス全体の電力管理と小型化のニーズの高まりによって推進されています。パッケージサイズの縮小は、消費電力に反比例します。たとえば、NXP半導体は、同じ電力性能を維持することで、トランジスタシリーズのパッケージサイズを55%縮小することを達成しました。さらに、Diodes Incorporatedは、DFN2020にパッケージされた40V定格のDMTH4008LFDFWQおよび60V定格のDMTH6016LFDFWQ車載対応MOSFETを発売しました。

さらに、自動車部品における安全性、インフォテインメント、ナビゲーション、燃費、および産業用部品におけるセキュリティ、自動化、ソリッドステート照明、輸送、エネルギー管理などの特性が、調査対象の市場を促進すると予想されます。たとえば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、EVパワーエレクトロニクスシステムに不可欠なコンポーネントです。 IGBTは、EVの世界の販売増加により、大きな需要が見込まれています。 IEAの報告書によると、2021年の世界の電気自動車販売台数は660万台に達しました。電気自動車は世界の自動車販売台数の9%を占めました。

こうした電気自動車の商品化が進んでいます。ボルボは、2025年までに販売台数の50％を完全電気自動車にすることを目指しています。BMWもi5計画を中止し、今後はX3や4シリーズGTなど他のシリーズモデルの電動化に注力する予定です。後者は、テスラのモデル3およびモデルyと直接競合します。

さらに、企業はプレゼンスを拡大し、市場シェアを拡大するために、パワーモジュール分野で新しいソリューションを開発しています。たとえば、2021年 12月、エレクトロニクスアプリケーションの幅広い顧客にサービスを提供する著名な半導体企業STMicroelectronicsは、最先端の技術を進歩させる第3世代STPOWER炭化ケイ素（SiC）MOSFET1のリリースを発表しました。電気自動車（EV）パワートレイン用のパワーデバイスや、電力密度、エネルギー効率、信頼性が主要な目標基準となるその他のアプリケーションに使用されます。

対照的に、COVID-19感染症の流行は世界経済と国家経済に多大な影響を与えています。ディスクリート半導体を含む多くのエンドユーザー産業が影響を受けています。電子部品の製造の大部分には工場現場での作業が含まれており、生産性を高めるために人々が緊密に連携して協力します。現在、市場の企業は、市場の需要、サプライチェーン、労働力の3つの側面への影響を迅速に評価しています。消費者の行動は急速に変化し、将来的には不安定になる一方、製品に対する需要はアシックス、メモリ、センサーなどにシフトしています。また、多くの企業がハードウェアのアップグレードやその他の長期的な移行プロジェクトを延期しています。たとえば、インド、日本、ポーランド、イスラエルなど多くの国で5G計画の展開が遅れており、そのことが商用 5Gサービスの開始に不確実性をもたらしています。

ウイルスが世界中に蔓延する中、隔離期間については依然として不確実性があり、世界のサプライチェーンは混乱しています。致死性のウイルスを封じ込めるために、世界中で多くの製造工場が閉鎖されました。たとえば、マレーシア、中国、マレーシア、フィリピンなどの国々では、オン・セミコンダクターズの製造施設のほとんどが政府の命令により閉鎖され、顧客への製品供給能力に影響を及ぼし、需要と供給のギャップが生じました。

車載アプリケーション、特にパワートランジスタと整流器のディスクリート需要の大部分が牽引されています。従来の自動車は1950年代から12 Vバッテリーシステムを使用してきましたが、現在のシナリオでは、次世代自動車のより重い電子負荷を処理できず、電力効率の必要性が生じています。

自動運転車や完全電気自動車では、電源管理やバッテリー監視システム用に、より効率的で高出力のMOSFETを備えた高性能のマイクロコントローラーとマイクロプロセッサーが求められています。

ディスクリート半導体は電気自動車に広く使用されています。スペースの制限と高効率の要件により、高電力を伝送し、より高い周波数でスイッチングできるデバイスが必要になります。これらのデバイスは、非常に低い損失と非常に高い周波数で大電流を流すことができるため、EVアプリケーション向けのこれらのデバイスに対する大きな需要が生まれます。

さらに、EV市場の加速に伴い、多くの自動車メーカーは現在、重量とコストを削減しながら効率を高め、より高速な充電を実現し、そのような車両の範囲を拡大するために800V駆動システムを採用しています。

SiCMOSFETなどのワイドバンドギャップデバイスは、自動車メーカーがEVパワートレインやそのような要素が重要となるその他のアプリケーション向けに最先端のパワーデバイスを進歩させるのに役立ちます。

2022年12月、STマイクロエレクトロニクスは、電気自動車の性能と航続距離を向上させるために設計された新しい炭化ケイ素（SiC）高出力モジュールを発売しました。ヒュンダイは、KIA EV6および複数のモデルで共有されるE-GMP電気自動車プラットフォームで使用するために、5つの新しいSiC MOSFETベースのパワーモジュールを選択しました。

2022年 8月、ルネサスエレクトロニクス株式会社は、新世代のSi-IGBTの開発を発表しました。この発表を通じて、同社は次世代EVインバータを目指しており、AE5世代IGBTは、ルネサスの那珂工場にある200mmおよび300mmウエハーラインで2023年上半期から量産される予定です。日本。

EV市場は競争が激しく、新興メーカーがイノベーションの限界に課題しています。たとえば、ポルシェはタイカンに800 Vシステムを搭載しましたが、現代の電気自動車の多くは400 Vバッテリーで動作します。これにより、従来の自動車部品メーカーは自動車分野向けのディスクリート半導体ラインナップを開発するようになりました。

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