高電子移動度トランジスタの市場規模は2030年に89億米ドルに達する見込み-最新予測

高電子移動度トランジスタの世界市場規模は、2022年から2030年までの予測期間中に年平均成長率4.2％で成長し、2030年には89億米ドルに達すると予測されます。

高電子移動度トランジスタは、ドープ領域ではなく、バンドギャップの異なる2種類の間のリンクを媒体として含む電界効果トランジスタである。高電子移動度トランジスタの主要部品は、より高い周波数で動作するため、携帯電話、電圧変換器、衛星テレビ受信機、レーダー装置などの高周波機器への応用が拡大しています。

市場に影響を与える要因

主要企業による高電子移動度トランジスタの豊富な買収と成長が、市場全体の成長を促進すると予想される。

高電子移動度トランジスタデバイスを製造・作成するための伝統的な技術の欠如が、市場全体の成長を妨げると予測される。

航空宇宙・防衛、自動車分野での高電子移動度トランジスタ新技術への高いニーズは、市場全体の拡大を促進すると予想されます。

地域別分析

アジア太平洋地域は、開発された技術で電力インフラを構築するために様々な取り組みを行っているため、世界市場でトップの座を占めています。各企業は、電力管理を確実にするために、高電子移動度トランジスタを用いた電力計測器の重要性を認識しています。自動化されたスイッチングデバイスやパワーモジュールへの高いニーズが、市場全体の拡大を促進すると予想されます。

競合他社の分析

世界の高電子移動度トランジスタ市場の著名なプレーヤーは以下の通りです。
ルネサスエレクトロニクス
インテル株式会社
テキサス・インスツルメンツ
STマイクロエレクトロニクス
nxp semiconductors
ウルフスピード
マイクロセミ
ミツビシ
コルボー
インフィニオン
その他

市場セグメント

タイプ別セグメント：（窒化ガリウム、炭化ケイ素、砒化ガリウム、その他）

エンドユーザー別セグメント：（家電、車載、産業、航空宇宙・防衛、その他）

地域別

北米（アメリカ、カナダ、メキシコ）

欧州（英国、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、ポーランド、ロシア、オランダ、ベルギー、トルコ、北欧諸国、その他の欧州諸国）

アジア太平洋地域（中国、インド、日本、韓国、オーストラリア、ニュージーランド、ASEAN諸国、その他アジア太平洋地域）

中東・アフリカ（UAE、サウジアラビア、南アフリカ、イスラエル、クウェート、カタール、オマーン、MEA諸国、その他の地域）

南米（アルゼンチン、ブラジル、南米のその他地域）

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