GaAs IC市場は2011年にわずか1％の成長、2010年の成長率は36％

株式会社グローバル インフォメーションは、インフォメーションネットワークが発行した報告書「The GaAs IC Market (GaAs IC市場の分析と予測)」の販売を開始しました。

インフォメーションネットワークの当報告書によれば、無線需要の低迷によって、2011年のガリウム砒素（GaAs）IC市場の成長は、ほぼ横這い状態となりました。

「すべての携帯電話に内蔵されたパワーアンプ（PA）によって、携帯電話から音声やデータが、基地局タワーに転送され、さらには他の携帯番号やインターネットアドレスへ送信されます。

携帯電話のなかで最も重要なRFコンポーネントであるPAの多くは、現在、ガリウム砒素（GaAs）製の集積回路によって、占められています。」と、インフォメーションネットワークの社長であるDr. Robert Castellanoは述べています。

GaAs ICは、2010年には36%の成長率を見せたものの、無線、つまり携帯電話やWiFiに対する需要の低迷によって、2011年は1%の成長にとどまりました。

これは、2009年の成長率1.7%以来、もっとも低い成長率となっています。

無線/WiFi市場は、2012年には回復し、その結果としてGaAs IC市場は8%成長すると予想されています。

3G携帯電話のほとんどが最大5個のPAを内蔵し、GaAsが100%市場を独占しているため、市場規模は50億米ドル近くとなります。

さらに、携帯電話1台当たりのPAの内蔵数は増加しています。複雑な3Gシステム、国際的なローミングサポート、そしてデータローミングサポートがその要因となっています。

携帯電話1台ごとのPAの価格は、0.8ドルから、現在、2.9ドルへ上昇しています。　LTEや高度無線サービス（AWS）周波数帯が、より高度な無線端末で商用利用可能となれば、PAの価格は、さらに3.5ドル以上になるでしょう。

市場調査レポート: GaAs IC市場の分析と予測
The GaAs IC Market
http://www.gii.co.jp/report/if4972_gaas_ic.html
出版日 2012年01月
発行: The Information Network

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