窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの世界市場、2024～2028年

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの世界市場、2024～2028年」（TechNavio）の販売を11月20日より開始しました。

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窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場、2024～2028年

窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場は2023～2028年に82億2,180万米ドル、予測期間中のCAGRは29.08%で成長すると予測されます。当レポートでは、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場の全体的な分析、市場規模・予測、動向、成長促進要因、課題、約25のベンダーを網羅したベンダー分析などを掲載しています。

現在の市場シナリオ、最新動向と促進要因、市場環境全体に関する最新分析を提供しています。市場は、GaN半導体デバイスの需要増加、軍事、自動車、航空宇宙向けGaN RF半導体デバイスの採用増加、GaNエコシステムにおける継続的な技術の出現によって牽引されています。

本調査では、今後数年間の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場成長を牽引する主要因の1つとして、5Gインフラ開発におけるGaN採用の増加を挙げています。また、EVやハイブリッドEV（HEVS）でのGaN採用の増加、GaN半導体デバイスの最近の動向も市場の大きな需要につながります。

第1章 エグゼクティブサマリー
第2章 市場情勢
第3章 市場規模の評価
第4章 市場規模実績
第5章 ファイブフォース分析
第6章 製品別市場セグメンテーション
第7章 エンドユーザー別市場セグメンテーション
第8章 顧客情勢
第9章 地域別情勢
第10章 促進要因・課題・機会・抑制要因
第11章 競合情勢
第12章 競合分析
第13章 付録

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