ディスクリート半導体の世界市場規模調査＆予測、タイプ別（ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、モジュール）、用途別、地域別分析、2023-2030年
株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「ディスクリート半導体の世界市場規模調査＆予測、タイプ別（ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、モジュール）、用途別、地域別分析、2023-2030年」（Bizwit Research & Consulting LLP）の販売を8月9日より開始しました。
ディスクリート半導体の世界市場は、2022年に約491億1,000万米ドルと評価され、予測期間2023-2030年には8.1%以上の健全な成長率で成長すると予測されています。
ディスクリート半導体デバイスは、特定の電子機能を実行するように設計された個々の半導体コンポーネントを指します。IGBT、MOSFET、サイリスタ、ダイオード、整流器などさまざまな部品が含まれます。パワーディスクリート半導体、特にIGBTとMOSFETは、交流電流を変換するための電子機器や電気機器で一般的に使用されています。市場は、高エネルギーで電力効率に優れたデバイスの需要の高まり、ワイヤレス・ポータブル・エレクトロニクスの普及、グリーン・エネルギー生成の必要性、自動車産業の急速な拡大、電子機器や自動車におけるMOSFETやIGBTの使用の増加、ASICの開発拡大など、さまざまな要因によって牽引されています。
さらに、自動車産業における需要の高まりは、予測期間にわたって市場に有利な需要を生み出すと予想されます。例えば、STマイクロエレクトロニクスは2022年12月、電気自動車の性能と走行距離の向上を目指した新しい炭化ケイ素（SiC）ハイパワーモジュールを発表しました。SiC MOSFET技術に基づくこれらのモジュールは、KIA EV6などのモデルを含む同社のE-GMP電気自動車プラットフォームへの統合用に現代自動車に採用されました。 2022年8月には、ルネサスエレクトロニクスが新世代のSi-IGBTを発表しました。AE5世代と呼ばれるこの先進的なIGBTは、次世代EVインバーターへの搭載をターゲットとしています。ルネサスは、2023年前半に那珂市の製造拠点でAE5世代IGBTの量産を開始する予定です。また、製造プロセスの技術的進歩や研究開発活動の活発化は、ディスクリート半導体市場が予測期間中に拡大する新たな機会を提供することになります。しかし、ディスクリート半導体の継続的な価格上昇が、2023-2030年の予測期間を通じて市場成長を阻害しています。
ディスクリート半導体の世界市場調査において考慮した主要地域は、アジア太平洋、北米、欧州、ラテンアメリカ、中東＆アフリカです。北米は、モノのインターネット（IoT）、電子デバイスの増加、電気自動車の採用増加などの新興技術により、2022年の市場を独占しました。2021年のアルゴンヌ国立研究所によると、米国におけるハイブリッド電気自動車（HEV）の販売台数は2023年度に9万7,972台に達し、2022年4月と比較して36.4%の大幅な伸びを示しました。この間のHEV総販売台数シェアはトヨタが44.3%でトップだっています。アジア太平洋地域は、ポータブルおよびワイヤレス電子機器の需要増加と自動車産業の急速な拡大により、予測期間中に大きく成長すると予想され、同地域全体の市場成長を促進しています。
本調査の目的は、近年におけるさまざまなセグメントと国の市場規模を明らかにし、今後数年間の市場規模を予測することです。本レポートは、調査対象国における産業の質的・量的側面を盛り込むよう設計されています。
また、市場の将来的な成長を規定する促進要因や課題などの重要な側面に関する詳細情報も提供しています。さらに、主要企業の競合情勢や製品提供の詳細な分析とともに、利害関係者が投資するためのミクロ市場における潜在的な機会も組み込んでいます。
目次
第1章 エグゼクティブサマリー
第2章 世界のディスクリート半導体市場の定義と範囲
第3章 世界のディスクリート半導体市場力学
第4章 世界のディスクリート半導体市場の産業分析
第5章 世界のディスクリート半導体市場、タイプ別
第6章 世界のディスクリート半導体市場、用途別
第7章 世界のディスクリート半導体市場、地域分析
第8章 競合情報
第9章 プロセス
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