次世代パワー半導体市場は、爆発的に成長する見通し

株式会社グローバル インフォメーションは、インフォメーションネットワークが発行した報告書「Next-Generation Power Semiconductors: Markets Materials, Technologies (次世代パワー半導体：市場、材料、技術)」の販売を開始しました。

シリコンをベースにした既存のパワー半導体が理論上の限界に近づくなか、優れた材料特性と広いバンドギャップを有する炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー半導体素子は、シリコンベース素子より桁違いに良い性能を提供し、次世代のパワーデバイスとして大きな期待を集めています。

「次世代パワー半導体の市場における戦いが展開しており、その結果、多くの半導体メーカーが市場参入を目指しています。」と、インフォメーションネットワークのDr. Robert Castellanoは述べています。

「140億米ドル規模のシリコンベースパワー半導体市場に比べれば僅かですが、次世代パワー半導体市場は既に5,000万米ドル規模の市場となっています。」

なかでも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）とパワーMOSFETは、市場拡大の原動力になると見られています。

パワー半導体の市場規模は、2011年の142億ドル（前年比6%増）から2013年には167億ドルに拡大し、この間の年平均成長率は3.7％になる見通しです。

高速スイッチング、完璧に近いゲートインピーダンス、優れた安定性、そして比較的低いオン抵抗によって、2010年にはパワーMOSFETが最大の市場シェアを占めましたが、今後はIGBTが最も力強く成長すると予測されます。

その魅力的な性能のために、広バンドギャップパワー半導体に関する研究開発が盛んに行われてきました。

1990年代の初頭以来、パワーデバイスアプリケーション用SiC材は、最も長く開発がつづけられ、今では成熟度と信頼性において最も進んだ段階にあります。

次世代パワー半導体市場は、2010年から2015年まで複合年間成長率、72%で拡大し、2015年には5億米ドル以上の規模に達すると、インフォメーションネットワークは予測しています。

市場調査レポート: 次世代パワー半導体：市場、材料、技術
Next-Generation Power Semiconductors: Markets Materials, Technologies
http://www.gii.co.jp/report/if223488-next-generation-power-semiconductors-markets.html
出版日 2011年11月
発行: The Information Network

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