高帯域幅メモリ：市場シェア分析、産業動向と統計、成長予測（2025～2030年）

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「高帯域幅メモリ：市場シェア分析、産業動向と統計、成長予測（2025～2030年）」（Mordor Intelligence）の販売を6月27日より開始しました。

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高帯域幅メモリ市場規模は2025年に31億7,000万米ドルと推定され、2030年には100億2,000万米ドルに達すると予測され、予測期間（2025～2030年）のCAGRは25.86%です。

高帯域幅メモリ（HBM）は、3DスタックSDRAM用の高速コンピュータメモリインターフェースであり、通常、高性能グラフィックスアクセラレータ、ネットワークデバイス、スーパーコンピュータで使用されます。

高帯域幅メモリ（HBM）市場の成長を牽引する主要因としては、高帯域幅、低消費電力、高拡大性メモリへのニーズの高まり、人工知能の採用増加、電子機器の小型化動向の高まりなどが挙げられます。

回路上に8個のDRAMダイを積み重ね、TSVで相互接続することで、HBMは比較的小さなフォームファクタで、少ない消費電力ながら大幅に高い帯域幅を記載しています。また、128ビットのチャネルと合計8チャネルにより、HBMは1,024ビットのインターフェースを記載しています。4つのHBMスタックを持つGPUは、4,096ビットのメモリバスを提供することになります。

例えば、2024年6月、米国のメモリチップメーカーであるMicron Technologyは、米国内に先進的高帯域幅メモリチップのテスト生産ラインを建設しました。同社は、AIブームによる需要をさらに取り込むため、マレーシアで初めてHBMを製造することを検討しています。

グラフィックス用途の増加に伴い、高速な情報配信（帯域幅）に対する欲求も高まっています。そのため、HBMは性能と電力効率の面で以前から使用されていたGDDR5よりも優れており、高帯域幅メモリー市場の成長機会をもたらしています。

さらに、大手半導体ベンダーは、COVID-19の大流行により生産能力を低下させながら作業を行りました。さらに、労働者不足のため、中国の多くの包装工場やテスト工場が操業を縮小、あるいは停止しました。このため、このようなバックエンドの包装やテスト能力に依存しているチップ企業にとってはボトルネックとなりました。

しかし、市場の成長を後押しする要因としては、人工知能の採用の増加、低消費電力、高帯域幅幅、拡大性の高いメモリに対する需要の増加、電子機器の小型化傾向の高まりなどが挙げられます。

高帯域幅メモリの用途は、自動運転車やADAS統合の台頭により自動車産業に広がっています。自動車産業の進歩が高性能メモリの採用を促進し、HBM市場の成長を支えています。
HBMは、2.5D技術を使用して従来のDRAMを改良することで進化し、CPUに近づけると同時に、信号駆動に必要な電力を削減し、RCレイテンシを最小限に抑えています。自律走行市場は拡大しており、環境の解釈と分析にデータセットを広範囲に使用しています。誤作動や差し迫った大惨事を防ぐため、データ処理は非常に速いペースで行われています。高速で強力なGPUの需要は、システムに搭載される高帯域幅メモリーの需要を高めています。
2024年3月、メモリーチップメーカーのSamsung Electronicsは、第6世代のAIメモリーHBM4とAIアクセラレーターMach-1の開発に伴い、生産歩留まりを上げるためにメモリーチップ部門内に高帯域幅メモリー（HBM）チームを設置しました。新チームはDRAMとNANDフラッシュメモリの開発・販売を担当します。
先進運転支援技術は、自律走行と並んで自動車産業でかなり普及しています。以前のADAS設計では、DDR4やLPDDR4のようなメモリチップが使用されていました。しかし、自動車産業が費用対効果からより優れた性能パラメータへと移行するにつれ、ADASメーカーはHBM技術を設計アーキテクチャに組み込むようになりました。
自動車における技術の急速な進歩と、自動車におけるエッジ技術の利用の増加は、調査対象市場における高帯域幅メモリとDDRAMの売上を押し上げると予想されます。

北米におけるHBMの高い採用率は、主に高速データ処理に高帯域幅メモリソリューションを必要とするハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）用途の成長によるものです。北米におけるHPC需要は、AI、機械学習、クラウドコンピューティングの需要増加により拡大しています。
急速に変化する技術や、産業全体にわたる大量のデータ生成により、効率的な処理システムの必要性が生じています。これらも、同地域の高帯域幅メモリ市場の需要を促進する要因の1つとなっています。
さらに、米国政府はデータセンター最適化イニシアチブ（Data Center Optimization Initiative：DCOI）を開始し、国内の多くのデータセンターを統合することで、納税者への投資対効果を高めながら、国民により良いサービスを提供することを目指しています。この統合プロセスには、ハイパースケールデータセンターの構築と、パフォーマンスの低いデータセンターの閉鎖が含まれます。Cloudsceneによると、米国には2024年3月時点で約5,381のデータセンターがあるといいます。
北米のメモリー製造企業は、製品拡大の機会をうかがっています。例えば、Intelは高帯域幅メモリー（HBM）を搭載した次世代Sapphire Rapids（SPR）Xeonスケーラブルプロセッサの発売を発表しました。Sapphire RapidsがサポートするDDR5は、サーバー用メモリの現在の動向であるDDR4に代わって高帯域幅メモリ（HBM）をサポートする見込みで、CPUが利用できるメモリ帯域幅を大幅に拡大する可能性があります。

高帯域幅メモリ市場は非常に細分化されています。市場の競争は激しく、複数の大手企業が参入しています。この産業の競争企業間の敵対関係は、主に技術革新、市場浸透、競争戦略力によるサステイナブル競争優位性にかかっています。資本集約的な市場であるため、撤退障壁も高いです。同市場の主要企業には、Intel株式会社、Toshiba Corporation、Fujitsu株式会社などがあります。

2024年4月-TSMCはSK Hynixと次世代HBM（高帯域幅メモリー）と次世代包装技術の開発に関する覚書を締結。SK Hynixは、HBM4の基盤部品にTSMCの洗練されたロジックプロセスを活用する意向で、限られたスペースにより多くの機能を組み込むことを目指し、メモリチップの性能とエネルギー効率の両方を高めることが期待されます。
2024年3月-Camtek Ltd.は、高帯域幅メモリ（HBM）の検査・計測について、一流HBMメーカーから約2,500万米ドルの新規受注を獲得したと発表しました。ほとんどのシステムは2024年後半に納入される予定です。

・エクセル形式の市場予測（ME）シート
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第1章 イントロダクション
第2章 調査手法
第3章 エグゼクティブサマリー
第4章 市場洞察
第5章 市場セグメンテーション
第6章 競合情
第7章 投資分析
第8章 市場機会と今後の動向

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