エネルギー効率化の強いニーズが、パワーディスクリート半導体の材料や技術の進歩を牽引

株式会社グローバル インフォメーションは、GBI Researchが発行した報告書「Power Discretes Market to 2016 - Energy Efficiency Initiatives in the Power Sector to Increase Market Demand (パワーディスクリート半導体市場：2016年までの予測 - 市場拡大につながるエネルギー効率重視の取り組み)」の販売を開始しました。

GBIリサーチ社の専門アナリストによれば、クラウドコンピューティングや炭素排出管理の普及に伴い、パワーディスクリート市場はハイレベル製品の需要が高まり、シリコン半導体は消滅しようとしています。当レポートでは、パワーディスクリート製造に採用される基板技術の近年における進歩から、技術の更なる向上や電力市場における効率化の動向を調査しています。

従来はシリコンのみがパワー半導体製造の材料であったのが、いまやSiC, GaN-on-Si, GaN, そしてGaAsが採用されるようになり、パフォーマンスも向上して参りました。この基板技術の進歩によって、システムは、従来のシリコンソリューションで得られてきたより高出力、広い帯域、また効率性を促進しています。

エネルギー効率のよい製品、また環境に与える影響の少ない製品の需要が、現在のパワーディスクリート市場の成長を牽引しています。政府のポリシーも、省エネルギーおよび、消費電力、価格、放出量を減らす必要性にフォーカスしてきており、エネルギー効率向上に一役買っています。2008年のG8サミットでは、メンバー国のあいだで2050年までに世界のエネルギー排出量の少なくとも50％を削減するとの合意に至りました。電気自動車は加速・減速にインバーターコントロールが必要になるため、パワーディスクリートの需要が拡大しています。IGBTとMOSFETが、この産業で最も有力なパワー半導体だからです。

しかしながら、税制と海外製品の脅威が欧州のパワーディスクリート市場に大きな影響を落としています。1999年来、IGBTパッケージデバイスが免税店さながらの価格で欧州各国に輸入されてきました。EU当局では、今はデバイスのクラス分けを見直し輸入関税を2-3％導入することにより、免税方針を変更しました。この税率が、膨大な輸入量を誇っていたIGBT市場にコスト上の大きな足かせとなり、サプライヤー、バイヤー双方の利ざやに甚大な損害が想定されるため、EUで製造されるさまざまな電気デバイス価格の上昇が見込まれます。

当レポートでは、世界のパワーディスクリート半導体市場に注目し、2004-2010年の推移および2016年までの販売価格・数量予測を算出するほか、MOSFETやIGBT、整流装置、サイリスタ、バイポーラ接合トランジスタ（BJT）など主要な製品タイプ、2011年市場シェアなどの最新情報を、アジア太平洋州、EU、北米、南欧州、中央・東欧州、北欧の各地域から集めるとともに、同分野の主要企業のプロフィールをまとめております。

市場調査レポート: パワーディスクリート半導体市場：2016年までの予測 - 市場拡大につながるエネルギー効率重視の取り組み
Power Discretes Market to 2016 - Energy Efficiency Initiatives in the Power Sector to Increase Market Demand
http://www.gii.co.jp/report/gbi239945-power-discretes-market-2016-energy-efficiency.html
出版日: 2012年03月
発行: GBI Research

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