ウィンボンド、 超低消費電力1.2V シリアルNORフラッシュメモリシリーズとして 64Mビットの新製品をリリース

台湾台中市発 - 2022年3月16日 - 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーである、ウィンボンド・エレクトロニクスは本日、最新世代のスマートウェアラブルデバイスやモバイルデバイスに必要とされる大容量コードストレージとアクティブモードの省電力化を実現する64Mビットの1.2VシリアルNORフラッシュW25Q64NEを発表しました。

ウィンボンドは、世界で初めて1.2VシリアルNORフラッシュを発表したメモリメーカーです。この製品シリーズは、1.14V～1.6Vの電源電圧範囲で動作し、電池1本の出力電圧と互換性があります。64Mビットで1.2VシリアルNORフラッシュシリーズを拡大することにより、ウィンボンドは、より大きなコードサイズが求められているスマートデバイスの要件に対応します。新製品W25Q64NEは、業界標準のパッケージとピンアウトで、USON8-3x4やWLCSPなどの小型パッケージでのサンプル出荷を開始しています。

ウィンボンドの1.2VシリアルNORフラッシュは、同容量の1.8VシリアルNORフラッシュと比較して、アクティブモードの消費電力を3分の1に削減します。通常、モバイルデバイスやウェアラブルデバイスにおける総消費電力の99％はアクティブモードで消費されます。そのため、ウィンボンドの1.2VシリアルNORフラッシュを使用することで、完全ワイヤレスイヤホンやフィットネス用リストバンドなどの非常に小さなバッテリーを搭載したデバイスは、バッテリー駆動時間を延長することができます。

超低消費電力でウェアラブルなどに最適

ウィンボンドは次のように述べています。「ワイヤレスイヤホンやスマートウォッチなどを購入する際、バッテリー駆動時間は、消費者の購入意思決定において重要な差別化要因になっています。つまり、W25Q64NEは、これらのデバイスのメーカーに、製品の付加価値を即座に高める方法を提供します」

アクティブリードモードで動作周波数50MHzのとき、1.8VシリアルNORフラッシュでは動作電流が4mA、消費電力が7.2mWとなります。同条件で1.2VシリアルNORフラッシュでは、同じく動作電流が4mAであり、消費電力は4.8mWとなります。1.8VシリアルNORフラッシュから1.2VシリアルNORフラッシュへの置き換えで、即座に33％の省電力化が実現されます。

優れた電力消費でバッテリー稼働時間を増加

省電力性に加え、その他のメリットももたらします。SoCの製造プロセスがより高度なテクノロジーへと進化するにつれ、次世代SoCのI/O電圧は1.8Vを下回ってきています。従来の1.8V/3VシリアルNORフラッシュを接続するにはレベルシフターが必要になります。これにより、システム設計のコストと複雑性が増加します。1.2VシリアルNORフラッシュを使用すれば、レベルシフターなしで直接接続でき、部品コストと基板面積を節約できます。

1.2VシリアルNORフラッシュは、標準のSPIインターフェイスに準拠しており、最大42Mバイト/秒のデータ転送速度を発揮します。また、4KBの均一セクタやブロックなど、柔軟なアーキテクチャを備えています。

詳細情報は、 http://www.winbond.com をご覧ください。

ウィンボンド・エレクトロニクスは半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーです。製品の設計、研究開発、製造、および販売サービスのエキスパートとして、お客様のニーズに基づいたメモリソリューションを提供しています。ウィンボンド・エレクトロニクスの製品ポートフォリオは、スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、コードストレージフラッシュメモリ、およびTrustME(R)セキュアフラッシュメモリで、通信、家電、車載、産業用、そしてコンピュータ周辺機器市場におけるTier1メーカーで広く採用されています。台湾中部サイエンスパーク(CTSP)を拠点とし、米国、日本、イスラエル、中国、香港、ドイツに子会社を有しています。
稼働中の台湾・台中の12インチファブ、および建設中の高雄の12インチファブをベースに、高品質メモリ製品を提供するため、更なる自社技術開発を進めています。

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