日本と世界の極端紫外線リソグラフィ（EUVL）システム市場は2031年までに750億米ドルに達する、最先端の半導体イノベーションと先端チップ製造技術への需要増加が牽引役

極端紫外線リソグラフィ（EUVL）は、次世代半導体デバイスの製造において極めて重要な最先端技術である。半導体業界がマイクロチップの小型化、高効率化、高性能化を推し進める中、EUVL技術は、高性能コンピューティング、人工知能、モバイル・コンピューティングのエスカレートする需要に対応することを目指すメーカーにとって、ますます礎石となりつつある。

従来のフォトリソグラフィからEUVLへの移行は、より微細な回路パターンの必要性によって推進されており、EUVLシステムは比類のない精度と効率を達成することができる。この移行は、単なる技術的アップグレードではなく、特に業界が5nmおよび3nmの技術ノードに向かうにつれて、従来のリソグラフィ技術が直面する限界に対処するために必要なシフトである。

EUVLシステム市場は、ASML、ニコン、キヤノンのような主要企業が主導権を握る、競争的で革新的な環境が特徴である。これらの企業は、製品ラインナップを強化するだけでなく、EUVL技術が達成できる限界を押し広げるために、戦略的パートナーシップや研究協力を行っている。

競争環境はまた、EUVL分野の新興企業や技術を支援することを目的とした、ベンチャーキャピタル企業や政府機関からの投資の急増も目の当たりにしている。このような資本の流入により、さらなる技術革新が促進され、新規参入企業の参入障壁が低くなることが期待される。

世界の極端紫外線リソグラフィ（EUVL）システム市場の爆発的な成長には、いくつかの要因が寄与している。第一に、民生用電子機器や高性能コンピューティング・プラットフォームに対する需要の急増は、高度な半導体チップを必要とし、それがEUVLのような高度な製造技術に対する需要を牽引している。加えて、より小型で効率的なチップの開発など、半導体業界内で進行中の技術革新が、この需要をさらに押し上げている。

しかし、成長軌道に課題がないわけではない。EUVLシステムの高コストと、これらのシステムを既存の製造ラインに組み込む際の複雑さが、採用の大きな障壁となっている。このような課題にもかかわらず、スループットの向上、歩留まりの改善、製造コストの低減といった長期的なメリットにより、EUVL技術への投資は業界のリーダーにとって説得力のあるものとなっている。

• レーザー生成プラズマ (LPP)
• 真空スパーク
• ガス放電

• マスク
• 光源
• ミラー
• その他

EUVL技術の採用は地域によって大きく異なり、その地域の半導体製造能力と技術的な準備態勢に影響される。北米とアジア太平洋地域は、主要な半導体製造拠点の存在と、これらの地域における技術革新と技術進歩を促進する支援的な政府政策によって、現在この採用の最前線にある。

欧州も、半導体の研究開発への投資や、EUVLシステムメーカーと半導体企業との提携により、追い上げを見せている。一方、南米や中東・アフリカのような地域は、半導体を取り巻く環境の中で徐々に台頭しつつあり、EUVL採用の潜在的な将来の成長分野を示している。

• アメリカ
• カナダ
• メキシコ

• 西ヨーロッパ
• イギリス
• ドイツ
• フランス
• イタリア
• スペイン
• その地の西ヨーロッパ
• 東ヨーロッパ
• ポーランド
• ロシア
• その地の東ヨーロッパ

• 中国
• インド
• 日本
• オーストラリアおよびニュージーランド
• 韓国
• ASEAN
• その他のアジア太平洋

• サウジアラビア
• 南アフリカ
• UAE
• その他のMEA

• アルゼンチン
• ブラジル
• その他の南アメリカ

今後の見通しとして、極端紫外線リソグラフィ（EUVL）システム市場は、半導体技術の継続的な進歩と、より高性能でエネルギー効率の高い電子機器に対する世界的な需要の高まりに後押しされ、成長軌道を維持するとみられる。メーカーがより高いスループットと精度を達成するためにEUVLを採用する傾向が強まっているため、市場は新製品の開発と機能強化を目撃することになると予想される。

さらに、業界がコストと複雑性という課題に取り組む中で、EUVL技術の飛躍的な進歩により、EUVLがより利用しやすく費用対効果の高いものとなり、それによって、世界中の幅広い半導体メーカーに採用されるようになると予想される。

• 市場の成長： 世界の極端紫外線リソグラフィ（EUVL）システム市場は、2023年から2031年までの予測期間中に25.1%という驚異的なCAGRで、2022年の100億米ドルから2031年には750億米ドルまで成長すると予測されている。

• 主な成長要因 先端半導体製造に対する需要の高まり、7nm以下のノードチップの採用の増加、AI、IoT、高性能コンピューティングにおけるEUVL技術の利用の拡大が、市場拡大の主な要因である。

• 技術の進歩： EUVLはチップ製造プロセスに革命をもたらし、次世代エレクトロニクスに不可欠な、より小さく、より強力で、エネルギー効率の高い半導体の製造を可能にする。

• 市場の細分化： EUVLシステム市場は、エンドユーザー（ファウンドリー、集積デバイスメーカー、メモリーチップメーカー）およびアプリケーションに基づいてセグメント化され、ロジックおよびメモリー分野で高い導入が見られる。

• 地域別動向： 台湾、韓国、中国に代表されるアジア太平洋地域は、TSMC、サムスン、SMICのような大手半導体メーカーの存在により、EUVL市場を支配している。

• 課題と制約： 高い装置コスト、複雑な製造プロセス、利用可能なEUV光源が限られているなどの課題に直面しており、継続的な技術改善が必要である。

• 競争環境： 同市場は競争が激しく、ASMLがEUVLシステムの主要サプライヤーとしてほぼ独占状態にある一方、大手半導体企業や研究機関はEUV機能の強化に多額の投資を行っている。

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